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12lp+finfet 文章 進(jìn)入12lp+finfet技術(shù)社區
傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導體技術(shù)戰一觸即發(fā)
- 繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據報道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來(lái)自臺積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長(cháng)。 之前蔣尚義加入中芯時(shí)，已經(jīng)是半導體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無(wú)論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時(shí)間來(lái)看，他都堪稱(chēng)元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 FinFET
FinFET之父胡正明談人才培育
- 潘文淵文教基金會(huì )日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術(shù)長(cháng)，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱(chēng)半導體工業(yè)40多年來(lái)的最大變革。 胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長(cháng)劉炯朗以“創(chuàng )新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見(jiàn)解。 肯定自己 解決問(wèn)題就是創(chuàng )新
- 關(guān)鍵字： FinFET
胡正明續寫(xiě)摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠(chǎng)商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)落戶(hù)中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 眾所周知，當柵極長(cháng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時(shí)代續命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門(mén)，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，FinFET陣營(yíng)占據絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)能給出答案。 今天我們就來(lái)談?wù)凢i
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現相同性能
- 2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開(kāi)始商用送樣，預計在2017年下半年實(shí)現商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。 高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內核——Qualcomm? Fa
- 關(guān)鍵字： 高通 FinFET
中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？
- 最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現了全金屬化源漏(MSD)，能顯著(zhù)降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動(dòng)性能達到了國際先進(jìn)水平。 基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(huì )(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì )場(chǎng)之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
- 關(guān)鍵字： FinFET 摩爾定律
控告三星/高通/蘋(píng)果FinFET技術(shù)侵權 這家公司有多牛？
- 盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時(shí)間之久，現在的4G網(wǎng)絡(luò )還有潛力挖掘和價(jià)值提升的空間，然而全球“大T”們(運營(yíng)商)的發(fā)展焦點(diǎn)已經(jīng)向5G轉移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標準制定、產(chǎn)業(yè)儲備等方面入手，對5G進(jìn)行全面布局。 “預計2022年全球將有5.5億5G用戶(hù)，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區?！辫b于全球運營(yíng)商的積極行動(dòng)，業(yè)界紛紛調高了對5G發(fā)展速度的預期，愛(ài)立信在近期發(fā)布的《移動(dòng)市場(chǎng)報告》中就給出了2020年5.5億用戶(hù)的預期。
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長(cháng)空間
- 半導體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說(shuō)，由于半導體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長(cháng)空間。 在中國大陸烏鎮舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì )，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動(dòng)”，由海內外網(wǎng)路專(zhuān)家組成的專(zhuān)家征集并評選出15項最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng )新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。 胡正明率領(lǐng)的美國加州大學(xué)柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創(chuàng )新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
- 關(guān)鍵字： FinFET
半導體制程技術(shù)競爭升溫
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(huà)(參考閱讀)之后快速成長(cháng);而市 場(chǎng)研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠(chǎng)是否會(huì )采用FD
- 關(guān)鍵字： 制程 FinFET
移動(dòng)處理器工藝制程挑戰技術(shù)極限 FinFET成主流
- 隨著(zhù)半導體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠(chǎng)商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節點(diǎn)的SoC也已實(shí)現量產(chǎn)，那么半導體技術(shù)節點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節點(diǎn)之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應用上帶來(lái)怎樣的發(fā)展變革? 5納米節點(diǎn)是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
- 關(guān)鍵字： 處理器 FinFET
12lp+finfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對12lp+finfet的理解，并與今后在此搜索12lp+finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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