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12lp+finfet 文章 進(jìn)入12lp+finfet技術(shù)社區
縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠(chǎng)競逐FinFET混搭制程
- 一線(xiàn)晶圓廠(chǎng)正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米后段金屬導線(xiàn)制程的方式達成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類(lèi)似的混搭技術(shù)，足見(jiàn)此設計方式已成為晶圓廠(chǎng)進(jìn)入FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤提到，各家廠(chǎng)商在16/14奈
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FinFET改變戰局 臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel
- 晶圓代工廠(chǎng)邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動(dòng)化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場(chǎng)的競爭力。 臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀提到，今年臺積電雖屢創(chuàng )季營(yíng)收新高，但第四季因客戶(hù)調整庫存可能出現微幅下滑的情形。 臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場(chǎng)仍未看到具威脅性的對
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里昂喊買(mǎi)臺積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標價(jià)上看140元
- 里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應20奈米設備和16奈米FinFET制程，預估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴張，但2015年將會(huì )衰退10%，考量現金流和回報率，給予買(mǎi)進(jìn)，并將目標價(jià)從126元上調140元。 FinFET制程部分，里昂證券指出，FinFET技術(shù)是半導體產(chǎn)業(yè)在解決轉進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結構性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預計在2015年前，積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造 里昂證券也指
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ARM與臺積電達成FinFET技術(shù)合作里程碑
- ARM 與晶圓代工大廠(chǎng)臺積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進(jìn)一步提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運算應用的產(chǎn)品，此次合作展現了雙方在臺積公司FinFET制程技術(shù)上，共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。 藉由 ARM Artisan 實(shí)體IP、臺積電記憶體巨集以及開(kāi)放創(chuàng )新平臺(Open Innov
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三星與Synopsys合作實(shí)現首次14納米FinFET成功流片
- 亮點(diǎn)： 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現更快和更高能效的系統級芯片(SoC) 該合作為3D器件建模和物理設計規則支持奠定了基礎 測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用 為芯片和電子系統加速創(chuàng )新提供軟件、知識產(chǎn)權(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現了一個(gè)關(guān)鍵
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三星領(lǐng)先臺積 14納米進(jìn)化
- 三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺積電，顯示在蘋(píng)果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。 韓聯(lián)社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測試芯片。 三星系統芯片部門(mén)主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET 14納米
ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在轉換到3D結構，進(jìn)而導致關(guān)鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過(guò)去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀(guān)點(diǎn)而言，過(guò)渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數對后閘極 (gate last) 處理的需求來(lái)說(shuō)，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠(chǎng) ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專(zhuān)輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導
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導入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
- 聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。 聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì )是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運算市場(chǎng)的最佳利器。 聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過(guò)程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現，而此
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 處理器 14nm FinFET
Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片
- 電子設計企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。 ? Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議 Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)14nm以及更先進(jìn)的半導體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統就是三方合作的一個(gè)重要里程碑。 這次的試驗芯片主要是用來(lái)對14nm工藝設計IP的
- 關(guān)鍵字： Cadence 芯片 FinFET
臺積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
- 臺積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì )中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測試16nm FinFET制程，并可望在未來(lái)一年內推出首款測試晶片。 臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設計人員帶來(lái)了極大挑戰。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類(lèi)似，都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程，2014開(kāi)始14nm FinFET制程。 臺積電的目標提前在
- 關(guān)鍵字： 臺積電 FinFET ARM V8
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術(shù)，其全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪(fǎng)問(wèn)，對有關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫(xiě)，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結構，它真正為移動(dòng)系統級芯片(SoC)設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示：“201
- 關(guān)鍵字： FinFET 14nm
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