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12lp+finfet
12lp+finfet 文章 進(jìn)入12lp+finfet技術(shù)社區
下一代晶體管技術(shù)何去何從
- 大量的金錢(qián)和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì )持續多久和為什么要替代他們? 在近期內，從先進(jìn)的芯片工藝路線(xiàn)圖中看已經(jīng)相當清楚。芯片會(huì )基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線(xiàn)圖已經(jīng)不十分清晰。 半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí)，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來(lái)提高電荷的遷移率。然后，到5nm時(shí)，可能會(huì )有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
- 關(guān)鍵字： 晶體管 FinFET
SoC系統開(kāi)發(fā)：FinFET在系統級意味著(zhù)什么
- 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20nm節點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來(lái)。但是對于要使用這些SoC的系統開(kāi)發(fā)人員而言，其未來(lái)會(huì )怎樣呢? 回答這一問(wèn)題最好的方法應該是說(shuō)清楚FinFET對于模擬和數字電路設計人員以及SoC設計人員究竟意味著(zhù)什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統級意味著(zhù)什么。
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Synopsys力挺臺積電16納米FinFET
- 全球IC矽智財供應商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)，全力協(xié)助臺積電加入導入這項新制程量產(chǎn)行列。 新思科技是「臺積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開(kāi)放創(chuàng )創(chuàng )新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」，以表彰對臺積電先進(jìn)制程的貢獻。 臺積電16納米FinFET制程，是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù)，臺積電將以大同盟的陣營(yíng)，聯(lián)合IP、自動(dòng)化工具、設備及芯片設計業(yè)的力量應戰。臺積電16納米預定明年第4季試產(chǎn)，2015年第1季量產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： Synopsys FinFET
先進(jìn)制程競賽Xilinx首重整合價(jià)值
- 由于A(yíng)SIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能，同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題，尤其當進(jìn)入28奈米制程之后，其性?xún)r(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng)，應用范圍也逐步擴張。 附圖: Xilinx揭露未來(lái)市場(chǎng)競爭狀況。 資料來(lái)源：Xilinx 掌握這樣的趨勢，讓FPGA大廠(chǎng)Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續成長(cháng)。 Xilinx企業(yè)策略與行銷(xiāo)資深副總裁Steve Glaser指出，預估今年在28奈米產(chǎn)品線(xiàn)將會(huì )有1億美元的營(yíng)收，市占率高
- 關(guān)鍵字： Xilinx FinFET
新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料
- 比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。 隨著(zhù)晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過(guò)為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅動(dòng)電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續微縮至更制程。
- 關(guān)鍵字： FinFET 矽材料
FinFET新技術(shù)對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響
- FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場(chǎng)效晶體管的一項創(chuàng )新設計，變革了傳統晶體管結構，其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設計成類(lèi)似魚(yú)鰭的叉狀3D架構，將原來(lái)的單側控制電路接通與斷開(kāi)變革為兩側。 FinFET這樣創(chuàng )新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長(cháng)，對于制程流程、設備、電子設計自動(dòng)化、IP與設計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導體業(yè)戰火重燃，尤其是以Fi
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FinFET引爆投資熱 半導體業(yè)啟動(dòng)新一輪競賽
- 半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術(shù)，對制程流程、設備、電子設計自動(dòng)化、IP與設計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠(chǎng)正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競爭態(tài)勢急速升溫。 過(guò)去數10年來(lái)，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開(kāi)發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 然而，電晶體在空間上的線(xiàn)性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會(huì )降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
- 關(guān)鍵字： 半導體 FinFET
專(zhuān)家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專(zhuān)家齊聚一堂，共同探討未來(lái)晶體管、工藝和制造方面的挑戰，專(zhuān)家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 SMD ：從你們的角度來(lái)看，工藝升級短期內的挑戰是什么? Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D
爭搶1xnm代工商機 晶圓廠(chǎng)決戰FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠(chǎng)新角力戰場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰策略，預計將于2014～2015年陸續投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠(chǎng)新的角力戰場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開(kāi)戰時(shí)刻設定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰策略，期抗衡英特爾和三星
- 關(guān)鍵字： FinFET 晶圓
英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀(guān)
- 英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統到芯片集成電路設計咨詢(xún)公司之一的英盛德認為，FinFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設計商帶來(lái)新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢中受益。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō)：“最近，在德州召開(kāi)的設計自動(dòng)化大會(huì )(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現我們的客戶(hù)——包括消費、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
- 關(guān)鍵字： 集成電路設計 FinFET
英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀(guān)
- 根據美國商業(yè)資訊報導，世界領(lǐng)先的系統到晶片積體電路設計顧問(wèn)公司之一的英盛德(Sondrel)認為，FinFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來(lái)新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢中受惠。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō)：「最近，在德州召開(kāi)的設計自動(dòng)化大會(huì )(Design Automation Conference)上，展場(chǎng)中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現我們的客戶(hù)——包括消費、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
- 關(guān)鍵字： Sondrel FinFET
晶圓廠(chǎng)的FinFET混搭制程競賽
- 一線(xiàn)晶圓廠(chǎng)正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線(xiàn)制程的方式達 成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類(lèi)似的混搭技術(shù)，足見(jiàn)此設計方式已成為晶圓廠(chǎng)進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤提到，各家廠(chǎng)商在16/
- 關(guān)鍵字： 晶圓 FinFET
12lp+finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條12lp+finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對12lp+finfet的理解，并與今后在此搜索12lp+finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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