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12lp+finfet
12lp+finfet 文章 進(jìn)入12lp+finfet技術(shù)社區
胡正明：技術(shù)創(chuàng )新可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍
- “半導體市場(chǎng)正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉變。而半導體技術(shù)上的創(chuàng )新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪(fǎng)時(shí)表示?！ ∽?965年摩爾定律提出以來(lái)，歷經(jīng)半個(gè)多世紀的發(fā)展，如今越來(lái)越遭遇挑戰，特別是新世紀以來(lái)，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會(huì )遭遇到可能終止的危機?！ 『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng )新為半導體帶來(lái)新契機。 2011年5月
- 關(guān)鍵字： FinFET 7納米
格芯技術(shù)大會(huì )攜最新技術(shù)突出中國市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì )（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業(yè)領(lǐng)導者、客戶(hù)、研究專(zhuān)家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì )者準備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng )新成果，以及包括制程工藝、設計實(shí)現、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì )，本次大會(huì )格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態(tài)系統、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò )和汽車(chē)解決方案智能應用，FDX?、Fi
- 關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程
三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導入EUV
- 隨著(zhù)臺積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠(chǎng)計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數制程技術(shù)的競爭就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開(kāi)始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線(xiàn)光刻設備。 根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
FD SOI生態(tài)持續完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成
- FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當口，FD-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現差異化創(chuàng )新成了眾IC設計企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò )與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對RF技術(shù)革新的強烈需求，對RF SOI技術(shù)帶來(lái)更廣大的市場(chǎng)前景。 FD SOI生態(tài)系統逐步完
- 關(guān)鍵字： FinFET 物聯(lián)網(wǎng)
格芯發(fā)布為IBM系統定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！ ?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結構，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng )新功能，達到比前代
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現實(shí)到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò )基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?！ ∵@項全新的12LP技術(shù)與當前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對數字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現象可能正在改變?！ ∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中，但數字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘柦鉀Q方案過(guò)去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統應用中，在系統中第一次產(chǎn)生了模數轉換過(guò)程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 FinFET
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿(mǎn)足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò )基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶(hù)產(chǎn)品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現量產(chǎn)?！ ?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀，來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
FinFET布局和布線(xiàn)要經(jīng)受各種挑戰
- 隨著(zhù)高級工藝的演進(jìn)，電路設計團隊在最先進(jìn)的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分給設計實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線(xiàn)流程帶來(lái)了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內容吧。 FinFET布局和布線(xiàn)要經(jīng)受各種挑戰 隨著(zhù)高級工藝的演進(jìn)，電路設計團隊在最先進(jìn)的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設
- 關(guān)鍵字： FinFET
英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù) 22納米制程戰場(chǎng)煙硝起
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開(kāi)發(fā)套件(PDK)在接下來(lái)幾個(gè)月也將陸續到位，市場(chǎng)上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用所生產(chǎn)之同類(lèi)芯片而來(lái)。 據EE Times Asia報導，英特爾稱(chēng)自家22 FFL是市場(chǎng)上首款為低功耗IoT應用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)出來(lái)的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
- 關(guān)鍵字： 英特爾 FinFET
12lp+finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條12lp+finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對12lp+finfet的理解，并與今后在此搜索12lp+finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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