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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
東芝推出4A輸出智能門(mén)驅動(dòng)光電耦合器
- 東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門(mén)驅動(dòng)光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動(dòng)中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門(mén)驅動(dòng)光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產(chǎn)生過(guò)流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開(kāi)始量產(chǎn)出貨。 &l
- 關(guān)鍵字： 東芝 TLP5214 SO16L IGBT
新能源汽車(chē)成為大功率IGBT的主要驅動(dòng)力
- 據Yole Developpement市場(chǎng)調查公司2013年報告，2014年IGBT市場(chǎng)總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見(jiàn)，主要驅動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(下圖草綠色部分)?！ 】煽啃猿蔀楣β孰娏﹄娮悠骷年P(guān)鍵指標 EV/HEV汽車(chē)用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標要求高，目前電流已達600安培左右，同時(shí)對可靠性的要求更為嚴苛，例如汽車(chē)應用的期望壽命需要二三十年，需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
- 關(guān)鍵字： IGBT Mentor MicReD
Mentor推出1500A功率循環(huán)測試設備
- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車(chē)需要600A，風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機車(chē)牽引的期望壽命超過(guò)三十年，功率器件通常需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰?！ 」β恃h(huán)和熱量導致與熱相關(guān)的器件老化降級，容易導致焊線(xiàn)老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問(wèn)題。因此需要精密的實(shí)驗設備對電力電子器件的可靠性進(jìn)行評估?！ 鹘y的功率循環(huán)測試和失效分析有諸
- 關(guān)鍵字： MicReD IGBT 功率循環(huán)測試
安森美半導體看好中國汽車(chē)市場(chǎng)
- 中國已成為全球最大的汽車(chē)生產(chǎn)國和消費市場(chǎng)，2013年中國整體汽車(chē)銷(xiāo)量增長(cháng)14%至2,200萬(wàn)輛，其中乘用車(chē)銷(xiāo)售約1,800萬(wàn)輛(份額80%)，商用車(chē)約400萬(wàn)輛(份額20%);2014年整體銷(xiāo)量可達2,300萬(wàn)輛，乘用車(chē)銷(xiāo)量較2012年增長(cháng)16%。汽車(chē)大趨勢正在推動(dòng)半導體成分的升高：IHS公司預測，由于汽車(chē)安全與導航等系統的不斷采用，中國汽車(chē)半導體市場(chǎng)將在2014年增長(cháng)11%，達到46億美元。而在未來(lái)三年會(huì )延續增長(cháng)勢頭，到2017年，中國汽車(chē)芯片市場(chǎng)將達到62億美元。 面對巨大的需求，半導體廠(chǎng)商
- 關(guān)鍵字： 安森美 汽車(chē)半導體 IGBT
淺談CPLD在IGBT驅動(dòng)設計中的應用
- 隨著(zhù)國民經(jīng)濟的不斷發(fā)展，變頻調速裝置的應用越來(lái)越廣泛。如何打破國外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴肅的課題擺在我國工程技術(shù)人員的面前。 在某型號大功率變頻調速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結構和散熱的條件，主控板上DSP產(chǎn)生的PWM信號需經(jīng)過(guò)較長(cháng)的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號傳輸的準確性和可靠性，必須解決以下幾個(gè)問(wèn)題：首先是抗干擾問(wèn)題，變頻器工作時(shí)，IGBT的開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì )產(chǎn)生高頻干擾信號;其次是如何保證PWM信號的前、后沿質(zhì)量，減少I(mǎi)GBT開(kāi)關(guān)動(dòng)作的過(guò)渡過(guò)程;最后是如何減少布線(xiàn)電感，盡可能
- 關(guān)鍵字： CPLD IGBT
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅動(dòng)器
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅動(dòng)器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(cháng)隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環(huán)境?！ 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
- 關(guān)鍵字： Vishay IGBT MOSFET VOW3120
英飛凌加入中國國際電動(dòng)汽車(chē)示范城市伙伴組織，助力本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 英飛凌科技(中國)有限公司宣布正式加入“中國(上海)國際電動(dòng)汽車(chē)示范城市伙伴組織”，該組織成員包括致力于推廣電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)的上下游企業(yè)。作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)電子供應商，英飛凌是首家加入的半導體科技公司。英飛凌將依托?“伙伴組織”框架機構，加強與“伙伴組織”成員及其他伙伴企業(yè)的交流與合作，助力推進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?！ ∽鳛槿蜃畲蟮腎GBT芯片及模塊供應商，英飛凌可以為電動(dòng)汽車(chē)的主要核心電子電器模塊提供完整的解決方案，包括電機驅動(dòng)、電池管理、高壓輔助系統如DC/DC、車(chē)載充電器以及整車(chē)控制器。大量
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT IGBT 半導體
IR推出堅固可靠的超高速1400V IGBT
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商?–?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)?宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)應用作出了優(yōu)化?！ RG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝，由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù)，可提供極低VCE(ON)?和超高速開(kāi)關(guān)，
- 關(guān)鍵字： IR IRG7PK35UD1PbF IGBT 1400V
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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