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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
一款并聯(lián)諧振逆變電源的設計方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： 并聯(lián)諧振逆變電源 PWM斬波控制 三相不控整流橋 直流斬波器 IGBT
國產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折
- 隨著(zhù)IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件;而在中國市場(chǎng)，軌道交通、家電節能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場(chǎng)。 據IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷(xiāo)售額的復合年度增長(cháng)率將達13%。2011年IGBT銷(xiāo)售額將達到8.59億美元，2015年有望達到13億美
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導體器件 太陽(yáng)能
高鐵有了“中國芯”
- 中國北車(chē)集團日前在西安對外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過(guò)專(zhuān)家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國自此有了完全自主產(chǎn)權的大功率IGBT“中國芯”。 據介紹，作為新一代半導體器件，IGBT是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國內高端IGBT芯片基本依賴(lài)進(jìn)口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國高鐵、動(dòng)車(chē)組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強勁的“中國芯
- 關(guān)鍵字： 半導體器件 IGBT
可再生能源應用加持IGBT市場(chǎng)前景一片光明
- 據市場(chǎng)研究機構Yole的最新報告，IGBT在電動(dòng)車(chē)/動(dòng)力混合汽車(chē)(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達驅動(dòng)器(MotorDrive)、不斷電動(dòng)力系統(UPS)及交通上的應用是該市場(chǎng)的成長(cháng)動(dòng)力來(lái)源。IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場(chǎng)已回歸穩定成長(cháng)腳步，具體而言，市場(chǎng)預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。在Yole的報告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達驅動(dòng)器的應用，區分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應用，馬達驅動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT
- 關(guān)鍵字： 可再生能源 IGBT
英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5
- 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì )上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來(lái)，已經(jīng)獲得了巨大的市場(chǎng)關(guān)注，它被認為是一種革新的技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 TRENCHSTOP IGBT
安森美半導體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統級性能的IGBT，擴充產(chǎn)品陣容
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充高性能絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應用于消費類(lèi)電器及工業(yè)應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開(kāi)關(guān)特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。 安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
- 關(guān)鍵字： 安森美，IGBT
英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
- 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應用于新能源汽車(chē)的高壓IGBT門(mén)級驅動(dòng)器。有了專(zhuān)為混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的主逆變器而設計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅動(dòng)器，汽車(chē)系統供應商便能夠更輕松地設計出更具成本效益的HEV電力傳動(dòng)傳動(dòng)子系統，該系統完全符合ASIL C/D功能安全要求標準 (ISO 26262)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 EiceDRIVER 逆變器 IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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