Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅動(dòng)器
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時(shí)間：2014-03-25
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日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動(dòng)器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(cháng)隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環(huán)境。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/235257.htm
除了具有優(yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子技術(shù)，VOW3120-X017T還具有目前最好的的電性能。VOW3120能抑制50kV/μs的典型共模噪聲，很好地說(shuō)明了該器件的噪聲隔離能力。
VO3120產(chǎn)品數據表鏈接：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121105。
VOW3120-X017T的電流消耗只有2.5mA，對于要求高效工作的電源是很實(shí)用的選擇。VOW3120-X017T引以為傲的典型延遲小于250ns，上升和下降時(shí)間小于100ns，使其非常適合需要IGBT快速開(kāi)關(guān)的的應用場(chǎng)合。
VOW3120-X017T現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為四周到六周。
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