<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

IGBT應用中常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法

  • 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點(diǎn)的igbt,是一種新型的80年代問(wèn)世的絕緣柵雙極性晶體管,它控制方便、工作頻率...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  及解決方法  

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅動(dòng)器通用芯片

  • 1 引言
      scale-2芯片組是專(zhuān)門(mén)為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動(dòng)器的功能需求而設計的。這些需求包括:可擴展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門(mén)級電流通路;功率半導體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  驅動(dòng)器  芯片    

基于運放退飽和的電阻爐溫度控制系統設計

  • 為了實(shí)現電阻爐的快速升溫及溫度控制,采用運放退飽和的方法,當電阻爐溫度未達到設定值時(shí),運放飽和輸出,所控制的驅動(dòng)電路輸出脈沖的占空比最大,IGBT近似全導通,電爐加熱功率最大,溫度快速上升;當溫度達到設定值時(shí),運放開(kāi)始退飽和,輸出電壓逐漸減小,從而減小驅動(dòng)電路輸出脈沖的占空比,IGBT導通時(shí)間變短,電爐加熱功率減小,實(shí)現溫度控制。通過(guò)Multisim軟件仿真及硬件電路測試,驗證了本設計的可行性。該溫度控制系統具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 電阻爐  溫度控制  運放  退飽和  IGBT  

隔離驅動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問(wèn):HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷?謝謝!  HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設置在7V,這是對通過(guò)一個(gè)比較 ...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

隔離驅動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

國產(chǎn)IGBT廠(chǎng)商開(kāi)始小批量銷(xiāo)售

  •   “十二五”規劃出臺以后,國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視,同時(shí),“節能減排”工作也深入開(kāi)展,中國開(kāi)始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件,受到了國家的重視,近兩年更是列入國家重大科技專(zhuān)項中提供多方位的支持。   絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件,具有易于驅動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn),廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
  • 關(guān)鍵字: 新能源  功率器件  IGBT  

具有有源電壓鉗位功能的電動(dòng)汽車(chē)IGBT驅動(dòng)電路設計與研究

  • 摘要:由于電動(dòng)汽車(chē)及混合動(dòng)力機車(chē)的電池工作電壓范圍較大,在剎車(chē)能量回收、發(fā)電機發(fā)電、短路保護等工況下,防止IGBT產(chǎn)生過(guò)壓失效成為一個(gè)必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過(guò)壓失效的有效手段開(kāi)始有所應用,本文對幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進(jìn)行了分析,并提出在有源電壓鉗位在電動(dòng)汽車(chē)IGBT驅動(dòng)應用中的優(yōu)化建議。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  電動(dòng)汽車(chē)  201211  

IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺采用IR的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù),為工業(yè)及節能應用提供卓越性能。
  • 關(guān)鍵字: IR  Gen8  IGBT  

并聯(lián)有源電力濾波器保護的關(guān)鍵技術(shù)研究

  • 摘要:針對并聯(lián)有源電力濾波器在運行過(guò)程中會(huì )多次出現IGBT爆炸的問(wèn)題,經(jīng)過(guò)實(shí)驗分析了IGBT的過(guò)電壓形成過(guò)程。鑒于IGBT的關(guān)斷時(shí)間極短,連接導線(xiàn)上寄生的微小雜散電感在高頻開(kāi)關(guān)的作用下會(huì )產(chǎn)生尖峰過(guò)電壓,并與原有電
  • 關(guān)鍵字: SAPF  IGBT  過(guò)電壓  寄生電感  

電源管理半導體市場(chǎng)今年預計萎縮

  •   據IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報告,今年全球電源管理半導體市場(chǎng)預計大幅萎縮6%,主要歸因于全球消費市場(chǎng)明顯疲軟。電源管理半導體對于各類(lèi)設備節省能源至關(guān)重要。   2012年電源管理芯片營(yíng)業(yè)收入預計從去年的318億美元降至299億美元。相比之下,去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎上小幅增長(cháng)1.5%。   明年該市場(chǎng)將恢復增長(cháng),預計上升7.6%至322億美元,略高于去年的水平。對于電源管理半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),7.6%的增幅相當一般。繼明年之后接下來(lái)的三年,市場(chǎng)將保持溫和增長(cháng),2016
  • 關(guān)鍵字: IHS  電源管理  半導體  IGBT  

IGBT光伏發(fā)電逆變電路

  • 國內外大多數光伏發(fā)電系統是采用功率場(chǎng)效應管MOSFET構成的逆變電路。然而隨著(zhù)電壓的升高,MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  光伏發(fā)電  逆變電路  

IGBT在大功率斬波中問(wèn)題的應用

  • 斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調制,因其波形如同斬切般整齊、對稱(chēng),故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調速的技術(shù)性能,而且直接影響設備的運行安全和
  • 關(guān)鍵字: IGBT  大功率  斬波    

安森美推出9款新的高能效方案

  • 應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充N(xiāo)GBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。
  • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  

面向汽車(chē)應用的IGBT功率模塊淺談

  • 中心論題:由于汽車(chē)環(huán)境的復雜多變,EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受?chē)谰臒岷蜋C械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機械振動(dòng)或機械沖擊試驗中IGBT模塊會(huì )出現的一些典型的故障模式廠(chǎng)商推出用于HEV的高可靠性IG
  • 關(guān)鍵字: IGBT  汽車(chē)應用  功率模塊    

IGBT驅動(dòng)電路M57962L的剖析

  • 中心論題:IGBT是一種復合全控型電壓驅動(dòng)式電力電子器件。驅動(dòng)電路M57962L簡(jiǎn)介。M57962L的工作原理。解決方案:一個(gè)2.5V~5.0V的閥值電壓使IGBT對柵極電荷集聚很敏感。檢測管壓降VCE的大小可識別IGBT是否過(guò)流。封閉性
  • 關(guān)鍵字: M57962L  IGBT  驅動(dòng)電路    
共686條 31/46 |‹ « 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 » ›|

絕緣柵雙極管(igbt)介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>