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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
DC-DC電源模塊的設計及優(yōu)化方案匯總，提供完整軟硬件設計指南
- DC-DC是一種新研制的小型化電源開(kāi)關(guān)模塊，它是采用微電子技術(shù)，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設計縮短研制周期，實(shí)現最佳指標等，可廣泛應用于各類(lèi)數字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關(guān)DC-DC電源設計方案及優(yōu)化方案。 隔離型全橋DC-DC電源的設計方案 本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅動(dòng)及保護。并且在實(shí)踐設計時(shí)，需要根據選擇
- 關(guān)鍵字： 元器件 IGBT 智能儀器
IR為高功率工業(yè)應用推出新IGBT模塊系列
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商， 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機驅動(dòng)逆變器、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器及焊接應用等高功率工業(yè)應用。 全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(shù)(包括非擊穿平面柵極和場(chǎng)截止溝道柵極技術(shù))及成熟的二極管技術(shù)，提供一系列穩健的高效模塊。這些產(chǎn)品采用了行業(yè)標準封裝，加上寬泛的配置及電流額定值范圍，有助于設計師靈活、輕易地部署高功率系統。這72款模塊提供600V或1200V
- 關(guān)鍵字： 國際整流器 IGBT
先進(jìn)攜手北車(chē)構建中國IGBT核心競爭力
- 上海先進(jìn)半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車(chē)股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作協(xié)議”簽約，上海先進(jìn)總裁王慶宇、中國北車(chē)總工王勇智分別代表雙方在協(xié)議書(shū)上簽字，上海先進(jìn)董事長(cháng)陳建明、中國北車(chē)副總裁孫永才均表示，通過(guò)雙方戰略聯(lián)盟的合作，在充分利用各自競爭優(yōu)勢基礎上聯(lián)手打造出具有核心競爭力的國產(chǎn)化IGBT大規模商用產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。 據悉，戰略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作主要包括4個(gè)方面：一是通過(guò)成立聯(lián)盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈;二是簽訂合
- 關(guān)鍵字： 北車(chē) IGBT
中國變頻器工業(yè)遠景光亮
- 在大規模的分布式可再生能源發(fā)電中，變頻器在電力電子技術(shù)與信息通訊技術(shù)雙方面都扮演著(zhù)重要的角色。據發(fā)布的數據顯示，全球再生能源用變頻器市場(chǎng)在2011年為72億美元的規模。預測今后5年該規模將會(huì )倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統節電率達30%左右，甚至40%～60%。未來(lái)幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國內IGBT市場(chǎng)仍主要由外資企業(yè)所把控，擁有技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)有望率先實(shí)現進(jìn)口替代。
- 關(guān)鍵字： 變頻器工業(yè) IGBT
IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高
- 近日，三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年P(guān)CIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。 IGBT芯片發(fā)展進(jìn)程 IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來(lái)，就FOM(優(yōu)點(diǎn)指數)來(lái)說(shuō)，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細化加工工藝、柵式IGBT的開(kāi)發(fā)(如三菱電機的CSTBT)，以及薄晶圓的開(kāi)發(fā)等等。如今，三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進(jìn)。 隨著(zhù)產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來(lái)越低，尺寸越來(lái)越小。從80
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 IGBT 晶圓 201408
中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)
- IGBT 是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠實(shí)現節能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應
- 關(guān)鍵字： 半導體 IGBT
IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光
- IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠實(shí)現節能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應用發(fā)展的必然
- 關(guān)鍵字： 功率器件 IGBT
詳解IGBT驅動(dòng)系統方案
- IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著(zhù)過(guò)流時(shí)可能發(fā)生鎖定現象而造成損壞的問(wèn)題。在過(guò)流時(shí)如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過(guò)高的電流變化率會(huì )引起過(guò)電壓，為此需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因而掌握好IGBT的驅動(dòng)和保護特性是十分必要的。 IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著(zhù)較大的寄生電容(幾千至上萬(wàn)pF)，在驅動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能滿(mǎn)足開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)要求，這使得它的驅
- 關(guān)鍵字： LED 驅動(dòng) IGBT
世界第二條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)將在株洲投產(chǎn)
- 6月20日上午，被業(yè)界認為現代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵 技術(shù)在中國南車(chē)取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內首條、世界第二條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片生產(chǎn)線(xiàn)，首期將實(shí)現年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，真正實(shí)現IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。 國家多部委關(guān)注IGBT研發(fā) IGBT，是一種實(shí)現電能轉換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
- 關(guān)鍵字： IGBT 芯片
我首條8英寸IGBT芯片線(xiàn)建成
- 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)，6月20日在中國南車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動(dòng)節能減排具有重大戰略意義。 與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平，主要應用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅動(dòng)設備中。 IGBT芯
- 關(guān)鍵字： IGBT 電力電子
傳統IGBT可靠性測試急需變革
- 據Yole Developpement市場(chǎng)調查公司2013年報告，2014年IGBT市場(chǎng)總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見(jiàn)，主要驅動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(如圖1)。同時(shí)，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來(lái)越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標。 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車(chē)需要600A，風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機
- 關(guān)鍵字： IGBT Mentor EV/HEV 201406
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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