碳化硅！文章進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區

2021基本創(chuàng )新日盛大開(kāi)啟碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰略目標推動(dòng)下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開(kāi)啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng )新為基，創(chuàng )芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng )新日活動(dòng)在深圳盛大啟幕?；景雽w總經(jīng)理和巍巍博士在會(huì )上發(fā)布了汽車(chē)級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展，受到了現場(chǎng)來(lái)自汽車(chē)、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內人士的高度關(guān)注。汽車(chē)級全碳化硅功
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎半導體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實(shí)現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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碳化硅在新能源汽車(chē)中的應用現狀與導入路徑

碳化硅具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程，對新能源汽車(chē)發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車(chē)正處于市場(chǎng)導入期到產(chǎn)業(yè)成長(cháng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段，汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量、保有量連續6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng )新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開(kāi)關(guān)損耗

隨著(zhù)對電動(dòng)公共汽車(chē)和其他電氣化重型運輸車(chē)輛的需求增加，以滿(mǎn)足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類(lèi)運輸系統提供更高效率。為了進(jìn)一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數字柵極驅動(dòng)器，為系統開(kāi)發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實(shí)現安全、可靠的運輸并滿(mǎn)足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動(dòng)器，可降低50%開(kāi)關(guān)損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來(lái)說(shuō)，Microchip的Agi
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圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

無(wú)橋式圖騰柱功率因數校正（PFC）級可用于滿(mǎn)足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時(shí)出現的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠實(shí)現這些改進(jìn)的 SiC器件性能參數。
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

近年隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅使SiC爭奪戰正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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羅姆為電動(dòng)汽車(chē)充電樁打造高效解決方案

引言全球能源短缺和大氣污染問(wèn)題日益嚴峻,汽車(chē)產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會(huì )碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導體廠(chǎng)商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng )新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時(shí)助力全面低碳社會(huì )的可持續發(fā)展?？s短充電時(shí)間的高輸出挑戰對電動(dòng)汽車(chē)車(chē)主來(lái)說(shuō),縮短充電時(shí)間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續航距離需要増加電池容量,為縮短充電時(shí)間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個(gè)40kW的電源
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意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典N(xiāo)orrkoping工廠(chǎng)制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著(zhù)ST針對汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開(kāi)創(chuàng )性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶(hù)獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
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碳化硅基板及磊晶成長(cháng)領(lǐng)域環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

由于5G、電動(dòng)車(chē)、高頻無(wú)線(xiàn)通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿(mǎn)足傳統硅基半導體所不能滿(mǎn)足的諸多優(yōu)點(diǎn)。放眼全球化合物半導體大廠(chǎng)，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠(chǎng)Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠(chǎng)則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
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三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線(xiàn)

中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶(hù)處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著(zhù)中
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“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進(jìn)入第三代半導體時(shí)代“

隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)，大數據和人工智能驅動(dòng)的新計算時(shí)代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長(cháng)，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開(kāi)始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環(huán)節的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開(kāi)始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導體時(shí)代。碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質(zhì)半導體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應用，展現出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
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安森美全面布局碳化硅市場(chǎng)：汽車(chē)、新能源、5G

目前，碳化硅市場(chǎng)正處于快速增長(cháng)中，根據各大咨詢(xún)機構統計，碳化硅在電源的功率因數校正（PFC）、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場(chǎng)。與傳統硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場(chǎng)強、高能隙，以及高電子移動(dòng)速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
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減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類(lèi)型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開(kāi)關(guān)性能，并將開(kāi)關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車(chē)充電站中的節能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著(zhù)降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
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英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析

2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導廠(chǎng)商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來(lái)了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場(chǎng)景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點(diǎn)在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪(fǎng)了英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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