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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅!

碳化硅發(fā)展勢頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王? 瑩? (《電子產(chǎn)品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢,現在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機會(huì ),電子產(chǎn)品世 界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統事 業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市 場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構,例如電流連續模 式
  • 關(guān)鍵字: 202004  碳化硅  CoolSiC? MOSFET  

GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產(chǎn)和供應碳化硅材料的協(xié)議

  • GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor),宣布執行一項為期五年的協(xié)議,總價(jià)值可達5,000萬(wàn)美元。根據該協(xié)議,GTAT將向高能效創(chuàng )新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增長(cháng)市場(chǎng)和應用。
  • 關(guān)鍵字: GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

碳化硅(SiC)功率器件或在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn),在功耗上也有非常好的表現,因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來(lái)越多的半導體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年,SiC功率半導體市場(chǎng)預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車(chē)  

羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長(cháng)期供應協(xié)議

  • 近日,羅姆和橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;)宣布,意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長(cháng)期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場(chǎng)占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規定, SiCrystal將向意法半導體提供總價(jià)超過(guò)1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片,滿(mǎn)足時(shí)下市場(chǎng)對碳化硅功率器件日益增長(cháng)的需求。意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長(cháng)期供應協(xié)
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  晶圓  

環(huán)球晶圓:硅晶圓明年回溫

  • 半導體硅晶圓大廠(chǎng)環(huán)球晶圓董事長(cháng)徐秀蘭日前表示,明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數干擾,但從客戶(hù)端庫存改善、拉貨動(dòng)能加溫,以及應用擴大等來(lái)看,硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底,明年上半年整體景氣動(dòng)能升溫速度優(yōu)于預期,她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會(huì )逐季成長(cháng)。
  • 關(guān)鍵字: 環(huán)球晶圓  硅晶圓  碳化硅  

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅動(dòng)器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(cháng)系統運行時(shí)間

  • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動(dòng)器,幫助高壓/大功率系統設計者將電源效率提升4%,優(yōu)于競爭產(chǎn)品;功耗和碳排放減少30%。驅動(dòng)器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統的開(kāi)關(guān)電源,典型應用包括太陽(yáng)能電源逆變器、電機驅動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、儲能系統、不間斷電源、數據農場(chǎng)及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開(kāi)關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來(lái)提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開(kāi)關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會(huì )產(chǎn)生較大噪聲,影響系統的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  柵極驅動(dòng)器  

意法半導體完成對碳化硅晶圓廠(chǎng)商Norstel AB的并購

  • 近日, 橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導體行使期權,收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價(jià)為1.375億美元,由現金支付。
  • 關(guān)鍵字: 意法半導體  碳化硅  Norstel AB  

科銳與ABB在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域展開(kāi)SiC合作

  • 全球碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作,共同擴展SiC在快速增長(cháng)大功率半導體市場(chǎng)的采用。協(xié)議內容包括在A(yíng)BB種類(lèi)齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體,這將助力科銳擴大客戶(hù)基礎,同時(shí)加快ABB進(jìn)入正在快速擴大的電動(dòng)汽車(chē)(EV)市場(chǎng)。
  • 關(guān)鍵字: 科銳  ABB  碳化硅  

北京經(jīng)開(kāi)區第三代半導體現新突破

  • 一輛新能源汽車(chē)、一組高能效服務(wù)器電源,核心功能的實(shí)現都離不開(kāi)電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn),國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日,記者在區內企業(yè)世紀金光半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實(shí)現第三代半導體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
  • 關(guān)鍵字: 第三代半導體  碳化硅  世紀金光  

國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點(diǎn)火試驗成功

  • 近日,隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS(微機電系統)微推力器陣列芯片接受地面點(diǎn)火指令成功點(diǎn)火,在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
  • 關(guān)鍵字: MEMS  碳化硅  微推力器陣列  

第三代半導體將催生萬(wàn)億元市場(chǎng)

  •   日前,第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì )專(zhuān)家學(xué)者認為,第三代半導體未來(lái)應用潛力巨大,具備變革性的突破力量,是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?! ?018年,美國、歐盟等持續加大第三代半導體領(lǐng)域研發(fā)支持力度,國際廠(chǎng)商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn),商業(yè)化的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)電力電子器件新品不斷推出,性能日益提升,應用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導體行業(yè)宏觀(guān)政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素,國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩步發(fā)展。但是,在材料指標、器件性能等方
  • 關(guān)鍵字: 半導體  碳化硅  

中歐“大咖”齊聚深圳,共話(huà)第三代半導體發(fā)展

  • 最近,由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、坪山區人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng )新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì ),圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程,助力國產(chǎn)半導體開(kāi)辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區科技創(chuàng )新局局長(cháng)黃鳴出席論
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  二極管  MOSFET  

更高效的半導體材料——碳化硅

  • 在功率電子學(xué)中,半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì )高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長(cháng),風(fēng)能和太陽(yáng)能等可持續能源供應變得越來(lái)越重要。然而,電力通常遠離消費者產(chǎn)生。因此,高效的配電和運輸系統與將產(chǎn)生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開(kāi)支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場(chǎng)效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術(shù)。然而,在硅上使
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  

安森美為20歲慶生,“高能效電子創(chuàng )新”顯示旺盛活力

  • 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時(shí),安森美只是一家年營(yíng)業(yè)額12億美元的標準半導體供應商,2018年已達到年營(yíng)收近60億美元,轉型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng )新的半導體方案供應商。過(guò)去的20年,是半導體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年,也是并購重組頻繁的20年,很多中小公司在并購浪潮中淹沒(méi)了,而安森美卻逐漸壯大,形成了自己的特色和穩定的市場(chǎng)。安森美的成功經(jīng)驗是什么?如今的特色和對未來(lái)的觀(guān)察是什么?近日,安森美半導體戰略、營(yíng)銷(xiāo)及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷(xiāo)售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪(fǎng)。1 靠創(chuàng )新
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華為出手第三代半導體材料 性能實(shí)現千倍提升

  • 華為出資7億元全資控股,剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司,持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
  • 關(guān)鍵字: 華為  半導體  碳化硅  
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