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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅!

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現狀分析

  • 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現狀分析-SiC電力電子器件中,SiC二極管最先實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品,美國Cree和意法半導體等廠(chǎng)商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
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英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì )上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?! ∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已達到轉折點(diǎn),考慮到成本效益,它
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英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì )上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?! ∮w凌工業(yè)功率控
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三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

  •   三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì ))展會(huì )中,以十款新型功率器件強勢登場(chǎng),其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號:E06)?! ∪怆姍C以“創(chuàng )新功率器件構建可持續未來(lái)”為主題,今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領(lǐng)域,包括:變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應用和新能源發(fā)電,致力為客戶(hù)提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?! ∽冾l家電市場(chǎng)  在變頻家電應用方面,三菱電機展出
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應用

  • 功率因數校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規定之一,在英國、日本和中國也存在類(lèi)似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過(guò)75W的離線(xiàn)設備的諧波標準。由于北美沒(méi)有管理PFC的規定,能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類(lèi)產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導我們的生活方式?

  • 伴隨著(zhù)第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片 年產(chǎn)7萬(wàn)片

  •   從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團隊花了10多年時(shí)間,在國內率先實(shí)現了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。   不久前,中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)天科合達)合作,解決了6英寸擴徑技術(shù)和晶片加工技術(shù),成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。   從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團隊花了10多年時(shí)間,在國內率先實(shí)現了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。   第三代半導體材料   研究人員告訴記者,上世紀
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首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門(mén)投產(chǎn)

  •   5月29日,國內首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門(mén)火炬高新區的瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司投產(chǎn),并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品, 成為國內首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。   據悉,碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強和高熱導率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。   瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹,6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

  •   三菱電機今年以“創(chuàng )新功率器件構建可持續未來(lái)”為題,攜帶六款全新產(chǎn)品,于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?! 〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域,包括:工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動(dòng)汽車(chē)應用以及碳化硅器件應用?! ≡谛庐a(chǎn)品方面,這次展出的全新第7代IGBT模塊,適合應用在工業(yè)驅動(dòng)和太陽(yáng)能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門(mén)極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列,為其現有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
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Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

  • Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
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Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用,包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車(chē)輛充電、石油勘探。
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天域半導體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

  •   記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉,該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域,連續砸進(jìn)1.8億元,正與中科院半導體研究所聯(lián)合,進(jìn)行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,是我國首家、全球第五家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售的高科技企業(yè)。  
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科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片

  • LED 領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2,引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  •  科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示:“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標準??其J的垂直整合能力確保能夠為客戶(hù)提供針對高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案,并為電力電子市場(chǎng)的領(lǐng)先企業(yè)提供穩定的供貨保障。
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