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碳化硅！
碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區
碳化硅廠(chǎng)商，忙得不亦樂(lè )乎
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環(huán)球晶圓40億美元建廠(chǎng)，獲美國至多4億美元補助
- 當地時(shí)間7月17日，美國商務(wù)部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設兩座12英寸晶圓制造工廠(chǎng)。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進(jìn)芯片的300mm硅晶圓制造廠(chǎng)，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠(chǎng)。環(huán)球晶圓董事長(cháng)徐秀蘭表
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基本半導體銅燒結技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應用
- 引言：隨著(zhù)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車(chē)載功率芯片的理想選擇。同時(shí)，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開(kāi)發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。傳統互連材料的局限傳統的高溫錫基焊料和銀燒結技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險，在
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碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠(chǎng)
- 作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿(mǎn)足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達和航空航天等領(lǐng)域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長(cháng)高質(zhì)量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈上，關(guān)鍵部分主要集中
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成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開(kāi)發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據介紹，中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(cháng)（升華法）的傳統技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會(huì )大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術(shù)一直未應用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué)，通過(guò)推算溶液的動(dòng)態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
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ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸
- 6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開(kāi)始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競爭力的價(jià)格向市場(chǎng)供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪(fǎng)時(shí)表示：“目前，生產(chǎn)SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開(kāi)始逐步轉向8英寸?！彪S著(zhù)晶圓尺寸的增加，每片可以生產(chǎn)更多的芯片，每顆芯片的生產(chǎn)成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
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一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
- 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時(shí)的溫度，分析兩個(gè)電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內的裸片。我們將從實(shí)驗數據中提取一個(gè)數學(xué)模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動(dòng)汽車(chē)常用的電壓和功率范圍內時(shí)的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長(cháng)測試時(shí)間，以便分析在電動(dòng)汽車(chē)生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收
- 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區的生產(chǎn)基地第一個(gè)項目完成驗收，意味著(zhù)該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴產(chǎn)據悉，天岳先進(jìn)上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規模和產(chǎn)能規劃來(lái)看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
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意法半導體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
- ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長(cháng)期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個(gè)園區內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的電氣化進(jìn)程和高能效轉型服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠(chǎng)
- 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時(shí)間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠(chǎng)，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠(chǎng)的建設是支持汽車(chē)、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶(hù)向電氣化過(guò)渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠(chǎng)的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
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布局海外市場(chǎng)，兩家半導體企業(yè)開(kāi)展合作
- 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導體聯(lián)合實(shí)驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開(kāi)發(fā)了IGBT和SiC智能驅動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉移轉化
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