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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂(lè )獎”
- 近日，從深圳市人力資源和社會(huì )保障局傳來(lái)喜訊，基本半導體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂(lè )獎”?！ ∩钲谑腥瞬挪畼?lè )獎是由深圳市政府設立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強企業(yè)科技創(chuàng )新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過(guò)評選伯樂(lè )獎對在本市人才培養、引進(jìn)過(guò)程中作出貢獻的單位及個(gè)人給予表彰和獎勵?！ 』景雽w是第三代半導體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng )立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養。作為一家由海歸博士創(chuàng )立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來(lái)自英
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 碳化硅 第三代半導體
使用SiC技術(shù)攻克汽車(chē)挑戰
- 摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應對汽車(chē)電子技術(shù)挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實(shí)現具有重大經(jīng)濟和社會(huì )影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開(kāi)為期36個(gè)月的開(kāi)發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車(chē)相關(guān)的內容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
- 關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶(hù)外發(fā)電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據) 近年來(lái)，由于SiC產(chǎn)品的節能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車(chē)和工業(yè)設備等領(lǐng)域的應用日益廣泛。隨著(zhù)各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
“2018 ROHM科技展”：走進(jìn)智能“芯”生活！
- 全球知名半導體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí)，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車(chē)電子和工業(yè)設備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí)，將圍繞汽車(chē)電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅動(dòng)、DC/DC轉換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍碧石半導體的先進(jìn)技術(shù)等主題，由羅姆的工程師帶來(lái)六場(chǎng)技術(shù)專(zhuān)題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現場(chǎng)，與羅姆的技術(shù)專(zhuān)家進(jìn)行面對面的交流和切磋
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng )新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會(huì )展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來(lái)自中國、歐洲及其他國家的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍，給現場(chǎng)觀(guān)眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來(lái)的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
SiC和GaN系統設計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現，正推動(dòng)著(zhù)功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉換系統的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F實(shí)世界中，沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！ ”热缫幻O計工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動(dòng)控制器，或者正在設
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿(mǎn)足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
- 隨著(zhù)汽車(chē)中電子系統數量的成倍增加，車(chē)內產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險也大幅升高了。因此，新式車(chē)輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開(kāi)關(guān)電源充斥著(zhù) EMI，并在整個(gè)汽車(chē)中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車(chē)電源的一項關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿(mǎn)足汽車(chē)制造商嚴格的 EMI 要求，同時(shí)擁有緊湊的尺寸以及集成化
- 關(guān)鍵字： MOSFET，LT8650S
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以?xún)鹊母咝矢綦x及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩定地區、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！ ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
- 關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以?xún)鹊母咝矢綦x及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩定地區、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！ ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
- Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶(hù)將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本?！ √蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000 碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
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CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰略合作協(xié)議， 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應用
- 高溫與長(cháng)壽命半導體解決方案領(lǐng)先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車(chē)領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用?！ ISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，專(zhuān)為極端溫
- 關(guān)鍵字： CISSOID SiC
CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰略合作協(xié)議， 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應用
- 高溫與長(cháng)壽命半導體解決方案領(lǐng)先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車(chē)領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用?！ ISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，專(zhuān)為極端溫
- 關(guān)鍵字： CISSOID 碳化硅
基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）
- 碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧?！ iC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過(guò)程中沒(méi)有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個(gè)數量級。更重
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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