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給電子系統降溫 選對這幾種基礎組件很重要！
- 電子系統的密度越來(lái)越大，溫度也越來(lái)越高，這意味著(zhù)許多系統將需要采用某種方法來(lái)管理熱量。雖然并不是每項設計都需要開(kāi)發(fā)熱管理解決方案，但要避免關(guān)鍵部件因溫度升高而損壞，設計人員對熱量產(chǎn)生、移動(dòng)和消除的基本理解是至關(guān)重要的。最后，熱管理需要在早期設計階段就加以考慮，而不是在最終設計中作為一個(gè)創(chuàng )可貼式的解決方案。熱管理基礎知識由于市場(chǎng)對電子系統的要求越來(lái)越高，理論上規定了用于部件冷卻的三種熱量傳遞方式：傳導、對流和輻射。在傳導方式下，通過(guò)兩個(gè)物體之間的物理接觸轉移熱能，其中較冷的物體自然地從較熱的物體中吸取能量，
- 關(guān)鍵字： 熱管理 珀爾帖器件 TIM
Vishay推出厚膜功率電阻器，可選配N(xiāo)TC熱敏電阻和PC-TIM
- 器件通過(guò)AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上，具有高脈沖處理能力，功率耗散達120 W 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款通過(guò)AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達12
- 關(guān)鍵字： Vishay 厚膜功率電阻器 NTC熱敏電阻 PC-TIM
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門(mén)。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT
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