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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
貿澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能 微型逆變器等設備的功率密度?！ ≠Q澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器，提高逆變器級工作效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！ ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設備提供所需驅動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類(lèi)器件中達到業(yè)內最低水平，該參數是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！ ishay
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穩健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性
- Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉向系統)和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統) 等汽車(chē)安全系統的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車(chē)規產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數亮相
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車(chē)展上，展示其全面豐富的車(chē)規產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車(chē)規產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于A(yíng)ECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！ ishay亞
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第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室。北汽新能源執行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū)，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實(shí)驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?！ 〗陙?lái)，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
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意法半導體高效超結MOSFET瞄準節能型功率轉換拓撲
- 意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉換器拓撲能效而設計?！ ♂槍涢_(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線(xiàn)有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現高開(kāi)關(guān)頻率，這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓撲結構中也有良好的能效表現?！ 〈送?，意法半導體最先進(jìn)的M6超結技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議
- 11月4-7日，由中國電源學(xué)會(huì )與IEEE電力電子學(xué)會(huì )聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議暨博覽會(huì )(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽w作為本次大會(huì )的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！ ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì )，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來(lái)自31個(gè)國家和地區的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì )議。大會(huì )主席、中國電源學(xué)會(huì )理事長(cháng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展
- 10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產(chǎn)業(yè)園展區，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！ ≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會(huì )，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產(chǎn)品應用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì )以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買(mǎi)家和專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾觀(guān)展，共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì )?！?/li>
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基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術(shù)研討會(huì )
- 11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議暨博覽會(huì )期間，來(lái)自中國、日本和韓國的第三代半導體專(zhuān)家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進(jìn)應用技術(shù)研討會(huì )?！ 〕鱿瘯?huì )議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(cháng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專(zhuān)家學(xué)者和基本半導體研發(fā)團隊。與會(huì )嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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碳化硅(sic)mosfet介紹
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