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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車(chē)級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動(dòng)器創(chuàng )新成果
- 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車(chē)級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開(kāi)發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì )議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車(chē)制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應用方面，越來(lái)越多的人則
- 關(guān)鍵字： CISSOID 碳化硅 功率模塊 高溫柵極驅動(dòng)器
Cree將投資10億美元，擴大SiC（碳化硅）產(chǎn)能
- 此次產(chǎn)能擴大，將帶來(lái)SiC（碳化硅）晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長(cháng)和SiC（碳化硅）材料生產(chǎn)的30倍增長(cháng)，以滿(mǎn)足2024年之前的預期市場(chǎng)增長(cháng) 5年的投資，充分利用現有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備，建造采用最先進(jìn)技術(shù)的滿(mǎn)足汽車(chē)認證的生產(chǎn)工廠(chǎng) 投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠(chǎng)（mega factory）；1億美元用于伴隨著(zhù)業(yè)務(wù)增長(cháng)所需要的其它投入
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 碳化硅基氮化鎵 工廠(chǎng)
現代IGBT/MOSFET柵極驅動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
- Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
- 關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅動(dòng)器 耐受性 隔離
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機型?！ OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應車(chē)載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET
安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車(chē)規的SiC MOSFET，補足成長(cháng)的生態(tài)系統，并為迅速增長(cháng)的應用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢
- 2019年3月19日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車(chē)級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長(cháng)終端應用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源?！ ∵@標志著(zhù)安森美半導體壯大其全面且不斷成長(cháng)的SiC 生態(tài)系統，包括SiC二極管和SiC驅動(dòng)器等互補器件，以及
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
600V 超級結MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調節能
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?！ 〈舜伍_(kāi)發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現了極快的反向恢復時(shí)間(trr)。與IGBT相比，輕負載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過(guò)提高導通MOSFET所需要的電壓水
- 關(guān)鍵字： ROHM MOSFET
安森美半導體將在A(yíng)PEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評估應用廣泛的電源方案，使用戶(hù)能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心?！ trata Developer S
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度
- Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場(chǎng)。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線(xiàn)性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開(kāi)關(guān)電路，提供更高的功率密度設計?！?/li>
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(huì )(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領(lǐng)域的最新業(yè)內領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！ ≡贏(yíng)PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
- 世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！ ≈饕獞谩 高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天 SiC MOSFET系列 產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿(mǎn)足多
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) MOSFET
集邦咨詢(xún)：需求持續擴張，2019年中國功率半導體市場(chǎng)規模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機構集邦咨詢(xún)在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國功率半導體市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(cháng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規模為717億元人民幣，較2017年同比增長(cháng)8%?！ 〖钭稍?xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(SCT)表現。具體而言，該實(shí)驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測量，并借助一個(gè)穩健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持不同的門(mén)極驅動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動(dòng)器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結溫下提供8
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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