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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討
- 隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē)，可再生能源及儲能等應用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應用提供更好的支持
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應用。?貿澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
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東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動(dòng)IC，助力移動(dòng)電子設備小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設備等移動(dòng)電子設備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過(guò)電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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當SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設計都帶來(lái)了額外的挑戰。應用痛點(diǎn)氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬(wàn)轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì )造成空壓機線(xiàn)包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因
- _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
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意法半導體與賽米控合作,在下一代電動(dòng)汽車(chē)驅動(dòng)系統中集成碳化硅功率技術(shù)
- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統廠(chǎng)商賽米控（Semikron）的eMPack?電動(dòng)汽車(chē)電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開(kāi)發(fā)成果。采用意法半導體先進(jìn)的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統中實(shí)現卓越的能效，并在性能方面達到行業(yè)標桿。SiC 正迅速成為汽車(chē)行業(yè)首選的電動(dòng)汽車(chē)牽引驅動(dòng)的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價(jià)值 1
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
- 在線(xiàn)性模式供電的電子系統中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線(xiàn)性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿(mǎn)足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 功率 MOSFET 耐用性
常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法
- 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個(gè)目標，需要提高開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS) 或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS) 拓撲允許采用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，可以 大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開(kāi) 關(guān)下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開(kāi)關(guān)的應力，因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務(wù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： Mentor P Qorvo SiC FET
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務(wù)器、5G基礎設施、平板電視機的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類(lèi)領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MDmesh MOSFET
UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： SiC FET
瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實(shí)現最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會(huì )，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內伙伴共話(huà)智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
UnitedSiC（現名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數的1200V第四代SiC FET
- 2022年5月11日移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）系列。
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅 場(chǎng)效應管
Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應用的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專(zhuān)門(mén)為用于某一應用而設計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 自動(dòng)安全氣囊 MOSFET
Power Integrations推出汽車(chē)級IGBT/SiC模塊驅動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車(chē)以及建筑和農用電動(dòng)汽車(chē)提供強大動(dòng)力
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門(mén)極驅動(dòng)板。新款驅動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(chē)（包括巴士和卡車(chē)）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車(chē)和牽引逆變器。SCALE EV板級門(mén)極驅動(dòng)器內部集成了兩個(gè)增強型門(mén)極驅動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監控遙測電路。新驅動(dòng)板已通過(guò)汽車(chē)級認證和ASIL B認證，可實(shí)現AS
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動(dòng)器 SCALE EV PI
碳化硅(sic)mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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