碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

受訪(fǎng)人：安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應用極限，開(kāi)關(guān)速度更快，導通電阻更低，損耗更小，能效更高?！　aN的開(kāi)關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
關(guān)鍵字：安森美 SiC

第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”

　　受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
關(guān)鍵字： TI 第三代半導體 GaN SiC

TrendForce：估今年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)破10億

為進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)動(dòng)力性能，全球各大車(chē)企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車(chē)型。依TrendForce研究，隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠(chǎng)掌控，關(guān)鍵供貨
關(guān)鍵字： TrendForce SiC 功率組件

ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動(dòng)車(chē)

SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車(chē)規級功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長(cháng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽
關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊

賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開(kāi)新的合作

賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開(kāi)展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長(cháng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右）此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車(chē)規級功率模塊“eMPack?”，開(kāi)啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽署
關(guān)鍵字：羅姆碳化硅 SiC 無(wú)線(xiàn)寬帶

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽(tīng)戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設計帶來(lái)了若干挑戰。首先，隨著(zhù)功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著(zhù)
關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET

SiC FET的起源及其向著(zhù)完美開(kāi)關(guān)發(fā)展的歷程

使用寬帶隙半導體作為高頻開(kāi)關(guān)為實(shí)現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開(kāi)關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實(shí)施為SiC FET。本白皮書(shū)追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書(shū)當然，接近完美的電子開(kāi)關(guān)已經(jīng)存在很長(cháng)一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機械開(kāi)關(guān)?，F代功率轉換依賴(lài)的是半導體開(kāi)關(guān)，它們最好在打開(kāi)時(shí)沒(méi)有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無(wú)限大，并能在簡(jiǎn)單驅動(dòng)下以任意快的速度在開(kāi)關(guān)狀態(tài)間切換且沒(méi)有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
關(guān)鍵字： UnitedSiC SiC

破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開(kāi)關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動(dòng)電壓VGS的測量，包括兩個(gè)部分：開(kāi)關(guān)過(guò)程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測量的，這會(huì )導致設備和人員危險，同時(shí)還會(huì )由
關(guān)鍵字： SiC GaN 柵極動(dòng)態(tài)測試光隔離探頭

仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題

這篇微信文章，其實(shí)構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題。這篇微信文章，其實(shí)構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗，仿真只供參考。在展開(kāi)
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC

豪威集團發(fā)布業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET

電源管理系統要實(shí)現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專(zhuān)為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng )新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問(wèn)題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開(kāi)關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
關(guān)鍵字：豪威集團 MOSFET

安森美的VE-Trac SiC系列為電動(dòng)車(chē)主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢

雙碳目標正加速推進(jìn)汽車(chē)向電動(dòng)化發(fā)展，半導體技術(shù)的創(chuàng )新助力汽車(chē)從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)車(chē)，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車(chē)的未來(lái)，如在關(guān)鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿(mǎn)足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著(zhù)深厚的歷史積淀，是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創(chuàng )新的VE TracTM Direct SiC
關(guān)鍵字：安森美 SiC 逆變器

分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究

米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應，硬開(kāi)關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路。為此，本文介紹了
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開(kāi)發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

高溫半導體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領(lǐng)導者）開(kāi)展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見(jiàn)下圖）的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
關(guān)鍵字： CISSOID SiC

安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰

隨著(zhù)云計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進(jìn)的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門(mén)極驅動(dòng)器等周邊器件，滿(mǎn)足低
關(guān)鍵字：安森美 SiC

具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H

過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經(jīng)過(guò)不斷研究和持續優(yōu)化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET