國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線(xiàn)：可用于傳統工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。

面向儲能逆變器市場(chǎng)，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。

國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲設計，內置 NTC 熱敏電阻，可實(shí)現溫度監控；采用 62mm 尺寸標準基板和接口，可兼容行業(yè)內各大主流產(chǎn)品，實(shí)現快速替換使用；具有 150℃的連續工作溫度 (Tvjop) 和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力，器件可靠性表現卓越。

NS62m 功率模塊以半橋電路結構應用于逆變器中。在實(shí)際應用中，一般會(huì )以 2 個(gè)或 3 個(gè) NS62m 功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲或三相橋拓撲，將直流電變成頻率、幅值可調的交流電，實(shí)現逆變功能?；?NS62m 功率模塊內 SiC MOSFET 的體二極管具有出色的開(kāi)關(guān)特性和反向恢復性能，因此在無(wú)需額外搭配二極管器件，更可滿(mǎn)足多數場(chǎng)景下的續流要求。

如圖中橙色框圖部分所示，每個(gè)框圖代表一個(gè) NS62m 功率模塊，此圖為 2 個(gè) NS62m 功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲。

NS62m 功率模塊在工作時(shí)可達到更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)，可幫助變換器系統效率的提升和散熱結構成本的降低。

IT之家獲悉，根據實(shí)驗數據可得，與市場(chǎng)同等電流規格的產(chǎn)品對比，NS62m 功率模塊動(dòng)態(tài)特性開(kāi)通延遲時(shí)間減少 79 納秒；上升時(shí)間減少 42 納秒；關(guān)斷延遲時(shí)間減少 468 納秒。開(kāi)啟損耗降低 82%，關(guān)斷損耗降低 92%，整體開(kāi)關(guān)損耗表現優(yōu)秀。

針對傳統工控、儲能逆變、充電樁等應用領(lǐng)域的需求，國星光電 NS62m SiC MOSFET 模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進(jìn)的第三代半導體器件生產(chǎn)線(xiàn)，公司可響應不同封裝及規格的 SiC 功率模塊定制開(kāi)發(fā)需求，為客戶(hù)提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務(wù)。