碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

2023 年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產(chǎn)量大幅增長(cháng)。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè )觀(guān)預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著(zhù)各公司產(chǎn)能釋放，預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據行業(yè)消息和市調機構的統計，此前天岳先進(jìn)、天科合達合計占據全球
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瑞能半導體CEO:碳化硅驅動(dòng)新能源汽車(chē)邁入“加速時(shí)代”

日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會(huì )（ISES，原CISES）。作為半導體原廠(chǎng)和設備制造商云集的平臺，ISES專(zhuān)注于高層管理，來(lái)自世界各地的半導體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來(lái)趨勢和挑戰，分享他們如何在迅速創(chuàng )新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應鏈的創(chuàng )新、商業(yè)和投資機會(huì )，為半導體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì )以“寬禁帶功率半導體在汽車(chē)應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國

2023年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠(chǎng)商的認可，中國廠(chǎng)商產(chǎn)能大幅提升。此前，來(lái)自中國的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。然而，到2024年，預計將搶占可觀(guān)的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長(cháng)的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長(cháng)產(chǎn)能提供了依據。目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。隨著(zhù)各公司積極增產(chǎn)，預計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬(wàn)單位
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動(dòng)光耦合器設計

本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅動(dòng)光耦合器用于驅動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅動(dòng)功率計算可分為三部分；驅動(dòng)器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動(dòng)器IC和功率半導體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅動(dòng)器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計算示例，詳細說(shuō)明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每?jì)赡昃头环?。事?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì )高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩步增
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SiC主驅逆變器讓電動(dòng)汽車(chē)延長(cháng)5%里程的秘訣

不斷增長(cháng)的消費需求、持續提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著(zhù)人們選用電動(dòng)汽車(chē) (EV)，令電動(dòng)汽車(chē)日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的 10%；到 2030 年，預計將增長(cháng)至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長(cháng)，則是影響電動(dòng)汽車(chē)普及的主要障礙之一?？朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著(zhù)增加成本的情況下延長(cháng)車(chē)輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
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25 年資深專(zhuān)家帶隊，三星已布局推進(jìn)碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)

IT之家 10 月 19 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經(jīng)任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導體領(lǐng)域的專(zhuān)家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責領(lǐng)導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時(shí)積極與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統和學(xué)術(shù)機構合作進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進(jìn)軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
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英飛凌與現代、起亞簽署半導體供應長(cháng)約

英飛凌、現代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議。據外媒，10月18日，英飛凌、現代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已達成戰略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議，以確保功率半導體的供應。根據戰略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現代、起亞則會(huì )出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設與儲備，三方也計劃在提升電動(dòng)汽車(chē)的性能上緊密合作。
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對于高壓開(kāi)關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著(zhù)優(yōu)勢。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場(chǎng)效應器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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三星人事變動(dòng)，瞄準碳化硅！

10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業(yè)務(wù)，并在其內部組織了SiC功率半導體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導體專(zhuān)家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時(shí)通過(guò)與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng)，進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
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SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰

1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車(chē)、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車(chē)（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車(chē)，以提高效率、續航里程和整車(chē)性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車(chē)載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營(yíng)成本?！? ?可再生能
關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導體

SiC和GaN的技術(shù)應用挑戰

1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車(chē)牽引逆變器、車(chē)載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(cháng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN

為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護！

假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線(xiàn)和接地線(xiàn)因疏忽而反接，電路還能安然無(wú)恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會(huì )瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類(lèi)事件的發(fā)生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會(huì )在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管 LTC4365

東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng )新

1 SiC、GaN相比傳統方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿(mǎn)足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況

ST（意法半導體）關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
關(guān)鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN