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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
三菱電機和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開(kāi)發(fā)SiC芯片，通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會(huì )社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在全球范圍內擴大，并有助于推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 安世 SiC
電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日，株式會(huì )社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(cháng)期穩定采購。關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱(chēng)，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數股權進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機會(huì )，同時(shí)也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 分立 MOSFET 數據表中重要的規格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當 FET 處于截止狀態(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實(shí)不符。首先，FET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時(shí)（我們在此
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護
- 中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線(xiàn)路的負載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國際著(zhù)名的先進(jìn)電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿(mǎn)足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(cháng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節省空間和減輕
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應用 650 V 碳化硅 整流二極管
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導體科技（東莞）有限公司
- 先之科半導體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開(kāi)始專(zhuān)注于半導體分立器件研發(fā)及銷(xiāo)售，在半導體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過(guò)1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現在任何需要它們的地方。今天展會(huì )之上，先之科為我們帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品，包括各類(lèi)二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車(chē)電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應能微電子（深圳）有限公司
- 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷(xiāo)售的半導體技術(shù)公司。應能成立于2012年，其核心團隊來(lái)自美國硅谷，全產(chǎn)品線(xiàn)皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場(chǎng)包括快速增長(cháng)的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車(chē)上均有廣泛的應用。應能微銷(xiāo)售總監曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標上表現出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 應能微電子 接口保護器件 碳化硅
東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)
- 11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線(xiàn)順利下線(xiàn)，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)續航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： IGBT 碳化硅 東風(fēng) 智新半導體
應對汽車(chē)檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來(lái)，在國家“雙碳”戰略指引下，汽車(chē)行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車(chē)滲透率已經(jīng)超過(guò)25%。汽車(chē)電動(dòng)化浪潮中，半導體增量主要來(lái)自于功率半導體，根據 Strategy Analytics，功率半導體在汽車(chē)半導體中的占比從傳統燃油車(chē)的21%提升至純電動(dòng)車(chē)的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車(chē)用電子零部件一樣，車(chē)規級功率半導體也須通過(guò)AEC-Q100認證規范所涵蓋的7大類(lèi)別41項測試要求。對于傳統的硅基半導體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)檢測認證 泰克 SiC
滿(mǎn)足市場(chǎng)對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現的應用使地球的未來(lái)充滿(mǎn)了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類(lèi)所面臨的最大技術(shù)挑戰之一。例如，雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源，但要想成功商業(yè)化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車(chē)領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車(chē) (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時(shí)間和續航里程有限等問(wèn)題，電動(dòng)汽車(chē)的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車(chē)載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅
通過(guò)碳化硅(SiC)增強電池儲能系統
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
- 關(guān)鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠(chǎng)環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
- IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長(cháng)徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進(jìn)至 8 英寸，和國際大廠(chǎng)保持同步。徐秀蘭預估將會(huì )在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長(cháng)，到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過(guò) 50%，而且有進(jìn)一步改善的空間，明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠(chǎng) SiC
中芯集成正式設立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現身股東榜
- 10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱(chēng)，新設立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊登記手續，并取得紹興市越城區市場(chǎng)監督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執照》。根據中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運營(yíng)碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng )始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
- 關(guān)鍵字： 中芯集成 碳化硅
安森美韓國碳化硅工廠(chǎng)擴建完工 年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片
- 安森美位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱(chēng)，其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠(chǎng)SiC半導體產(chǎn)量預計將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來(lái)三年內雇傭多達1000名當地員工來(lái)填補大部分高
- 關(guān)鍵字： 安森美 韓國 碳化硅
安森美韓國富川碳化硅工廠(chǎng)擴建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)及高科技公用設施建筑和鄰近停車(chē)場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠(chǎng)的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
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