25 年資深專(zhuān)家帶隊，三星已布局推進(jìn)碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)

IT之家 10 月 19 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經(jīng)任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監管相關(guān)業(yè)務(wù)。

洪錫俊是功率半導體領(lǐng)域的專(zhuān)家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責領(lǐng)導這項工作。

洪錫俊負責組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時(shí)積極與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統和學(xué)術(shù)機構合作進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進(jìn)軍 GaN（氮化鎵）業(yè)務(wù)前，也提前組建了相關(guān)業(yè)務(wù)團隊。

三星電子已開(kāi)始全面籌備 GaN 功率半導體業(yè)務(wù)。三星決定購買(mǎi) Aixtron 最新的 MOCVD 設備，專(zhuān)門(mén)用于加工 GaN 和 SiC 晶圓，這凸顯了三星對此努力的承諾，這筆投資預計至少為 700-8000 億韓元。

盡管三星的第三代半導體代工業(yè)務(wù)預計將于 2025 年啟動(dòng)，但目前仍處于研究和樣品階段，現在需要大量投資設備以支持未來(lái)的量產(chǎn)工作。

根據 TrendForce 的分析，預計 2023 年全球 SiC 功率器件市場(chǎng)規模將達到 22.8 億美元（IT之家備注：當前約 166.9 億元人民幣），同比增長(cháng) 41.4%。預計到 2026 年將擴大到 53.3 億美元（當前約 390.16 億元人民幣）。

根據 TrendForce 的最新研究，預計到 2024 年，三星 8 英寸晶圓制造工廠(chǎng)的利用率可能會(huì )下降至 50%。這一下降主要是由于全球半導體需求減少，再加上地緣政治因素，嚴峻的商業(yè)環(huán)境影響了三星的訂單量。

隨著(zhù) SiC 和 GaN 功率半導體的需求持續上升，以及三星硅晶圓業(yè)務(wù)面臨挑戰，該公司與 DB Hitek 和 Key Foundry 等競爭對手一起，正準備推出 8 英寸 GaN 代工服務(wù)。這一戰略舉措預計將在 2025 年至 2026 年間實(shí)現。