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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
SiC是否會(huì )成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(cháng)比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長(cháng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強問(wèn)題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場(chǎng)全方位戰略已擴大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊鳶i
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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅動(dòng)器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新驅動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)鹊?2mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅動(dòng)器還具有高
- 關(guān)鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門(mén)極驅動(dòng)器
碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進(jìn)行調制，就會(huì )得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
- ～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來(lái)，隨著(zhù)照明用的小型電源
- 關(guān)鍵字： ROHM Super Junction MOSFET
英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
- 數據中心和計算應用對電源的需求日益增長(cháng)，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門(mén)級和門(mén)級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩定可靠的超小型的PQFN
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠(chǎng)
- 12月1日消息，近日，據外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠(chǎng)。該晶圓廠(chǎng)將專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長(cháng)潛力。報道稱(chēng)，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠(chǎng)計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預計2025年第四季度投產(chǎn)，預計到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 ST 格芯 晶圓廠(chǎng) 碳化硅 電動(dòng)車(chē)
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪(fǎng)時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠(chǎng)生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠(chǎng)制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴建其Kulim工廠(chǎng)（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠(chǎng)SiC（碳化硅）功率工廠(chǎng)。值得一提的是該計劃
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓
三菱電機將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開(kāi)始供應。公開(kāi)消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠(chǎng)。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設立辦公室，團隊規模已超160人
- 11 月 21 日消息，據晚點(diǎn) LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅動(dòng)電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱(chēng)，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專(zhuān)家、SiC 功率模塊設計專(zhuān)家、SiC 功率模塊工藝專(zhuān)家和 SiC 功率模塊電氣設計專(zhuān)家。報道還稱(chēng)，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
- 關(guān)鍵字： 理想 自研芯片 新能源汽車(chē) 智能駕駛 AI 推理芯片 驅動(dòng)電機 控制器 SiC 功率芯片。
Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著(zhù)Omdia預測電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會(huì )產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(cháng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀，但它們的技術(shù)成熟度與可持續發(fā)展運動(dòng)相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著(zhù)顯著(zhù)的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
- 關(guān)鍵字： 新能源 氮化鎵 碳化硅
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領(lǐng)域實(shí)現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線(xiàn)列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？
- 在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著(zhù)提升，但是如何定量分析這三類(lèi)產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類(lèi)產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
- 關(guān)鍵字： PI 氮化鎵 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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