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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng )新”顯示旺盛活力
- 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時(shí)，安森美只是一家年營(yíng)業(yè)額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營(yíng)收近60億美元，轉型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng )新的半導體方案供應商。過(guò)去的20年，是半導體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒(méi)了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩定的市場(chǎng)。安森美的成功經(jīng)驗是什么？如今的特色和對未來(lái)的觀(guān)察是什么？近日，安森美半導體戰略、營(yíng)銷(xiāo)及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷(xiāo)售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪(fǎng)。1 靠創(chuàng )新
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針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
- 中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線(xiàn)電源兼備寬壓輸入與設計簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無(wú)需傳統垂直堆疊FET和相關(guān)無(wú)源元件，即可實(shí)現類(lèi)似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個(gè)用于過(guò)溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見(jiàn)開(kāi)關(guān)式電源拓撲，包括原邊或副
- 關(guān)鍵字： 電源 意法半導體 擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
SiC將達23億美元規模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠(chǎng)商競爭
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車(chē)級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動(dòng)器創(chuàng )新成果
- 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車(chē)級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開(kāi)發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì )議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車(chē)制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應用方面，越來(lái)越多的人則
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Cree將投資10億美元，擴大SiC（碳化硅）產(chǎn)能
- 此次產(chǎn)能擴大，將帶來(lái)SiC（碳化硅）晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長(cháng)和SiC（碳化硅）材料生產(chǎn)的30倍增長(cháng)，以滿(mǎn)足2024年之前的預期市場(chǎng)增長(cháng) 5年的投資，充分利用現有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備，建造采用最先進(jìn)技術(shù)的滿(mǎn)足汽車(chē)認證的生產(chǎn)工廠(chǎng) 投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠(chǎng)（mega factory）；1億美元用于伴隨著(zhù)業(yè)務(wù)增長(cháng)所需要的其它投入
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現代IGBT/MOSFET柵極驅動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
- Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
- 關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅動(dòng)器 耐受性 隔離
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機型?！ OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應車(chē)載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET
安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車(chē)規的SiC MOSFET，補足成長(cháng)的生態(tài)系統，并為迅速增長(cháng)的應用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢
- 2019年3月19日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車(chē)級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長(cháng)終端應用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源?！ ∵@標志著(zhù)安森美半導體壯大其全面且不斷成長(cháng)的SiC 生態(tài)系統，包括SiC二極管和SiC驅動(dòng)器等互補器件，以及
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
600V 超級結MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調節能
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?！ 〈舜伍_(kāi)發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現了極快的反向恢復時(shí)間(trr)。與IGBT相比，輕負載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過(guò)提高導通MOSFET所需要的電壓水
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Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度
- Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場(chǎng)。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線(xiàn)性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開(kāi)關(guān)電路，提供更高的功率密度設計?！?/li>
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(huì )(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領(lǐng)域的最新業(yè)內領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！ ≡贏(yíng)PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
- 世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！ ≈饕獞谩 高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天 SiC MOSFET系列 產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿(mǎn)足多
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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