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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應用端提升8寸產(chǎn)線(xiàn)成主力

  •   以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后,受產(chǎn)能供需吃緊影響,價(jià)格大漲,部分物料漲幅甚至超過(guò)10倍。而與被動(dòng)元件市場(chǎng)行情相似的MOSFET芯片也出現缺貨潮,導致價(jià)格上漲,即便是在溢價(jià)20%的基礎上新增訂單,供應商仍難交出貨來(lái)。更嚴重的是,MOSFET芯片市場(chǎng)缺貨潮短期內將難以緩解,保守估計到2019年局面才能改觀(guān)。   據IHS數據顯示,2016年MOSFET芯片市場(chǎng)總規模為205億美元,2017年預計將增長(cháng)到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類(lèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)以及IIoT等領(lǐng)域,杭州士
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如何確保MOS管工作在安全區

  •   電源工程師最怕什么?炸機!用著(zhù)用著(zhù)就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?! ∥覀冎篱_(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(cháng)期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著(zhù)很大的功耗,一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì )導致功耗大增,晶圓結溫急劇上升,如果散熱不及時(shí),就會(huì )導致器件損壞,甚至可能會(huì )伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個(gè)概念,安全工作區?! ∫?、什么是安全工作區?  安全工作區:SOA(Safe operating&nb
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精華!兼容路創(chuàng )和Leviton調光器的LED燈絲燈解決方案

  • 精華!兼容路創(chuàng )和Leviton調光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調光方案解決三大LED燈絲燈調光難題,BP3216內部集成MOSFET,體積小,特別適合燈絲燈的應用;采用源極驅動(dòng),DCMB的控制方式,沒(méi)有二極管反向恢復,開(kāi)關(guān)損耗小。P3216系列芯片內部集成不同耐壓的MOSFET,可以滿(mǎn)足不同功率輸出的要求。
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導入柵極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導入柵極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統效率和功率密度,是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的,半導體開(kāi)發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場(chǎng)效電晶體(MOSFET),可顯著(zhù)降低全負載及輕負載時(shí)的功率損耗。
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為反向極性保護設計一個(gè)電路

  • 為反向極性保護設計一個(gè)電路-反向極性解決方案被看成是一個(gè)迫不得已、不得不做的事情。例如,在汽車(chē)系統中,搭線(xiàn)啟動(dòng)期間,防止電池反接或者電纜反向連接很重要,然而系統設計人員也必須忍受反向極性保護出現時(shí)的功率損耗。
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有刷直流柵極驅動(dòng)器的演變

  • 有刷直流柵極驅動(dòng)器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰的20年,我們已走過(guò)了漫漫長(cháng)路。2015年正發(fā)布的組件具有無(wú)與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快,發(fā)光二極管(LED)亮度更高,存儲器密度更大,每樣東西的功耗都更低,并且集成電路(IC)集成了比以往任何時(shí)候都多的組件。
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模塊電源的散熱應對措施

  • 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實(shí)例為基準,分析一個(gè)設計方案中的模塊電源散熱問(wèn)題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC3843B芯片控制,沒(méi)有采用有源嵌位和同步整流,工作頻率為300KHZ。
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基于MPS芯片的系統電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾,開(kāi)關(guān)芯片轉換出各種系統所需電壓,LDO給MCU處理器提供穩定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補,各取所長(cháng)才能共建一個(gè)良好的系統供電環(huán)境,同時(shí)開(kāi)啟它們的共贏(yíng)之路。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實(shí)現超高速切換

  •   Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列,成為該公司不斷擴充的功率半導體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?),是雙方聯(lián)手推出的首款由內部設計、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的
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采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動(dòng)電路

  • 采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動(dòng)電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號,利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B端輸出一個(gè)與輸入信號反相,且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下:
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功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅動(dòng)電路圖

  • 功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅動(dòng)電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅動(dòng)電路設計,功率mosfet驅動(dòng)電路原理圖。
  • 關(guān)鍵字: 驅動(dòng)電路  mosfet  電路圖  

利用單個(gè)反饋源實(shí)現任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò )

  • 利用單個(gè)反饋源實(shí)現任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò )-假設須要生成一些任意數量(以N為例)的電流沉/源(current sink/source),而每個(gè)電流沉/源的大小任意,可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實(shí)施即可,電流沉整個(gè)反饋部分的重復進(jìn)行卻使成本與設計空間密集化。
  • 關(guān)鍵字: 模擬電路  MOSFET  

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現狀分析

  • 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現狀分析-SiC電力電子器件中,SiC二極管最先實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品,美國Cree和意法半導體等廠(chǎng)商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  

MOSFET 安全工作區對實(shí)現穩固熱插拔應用的意義所在

  • MOSFET 安全工作區對實(shí)現穩固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的系統中插入或移除電路板,從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問(wèn)題??刂破?IC 驅動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開(kāi)關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開(kāi)關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對負載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。
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碳化硅 mosfet介紹

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