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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(SCT)表現。具體而言，該實(shí)驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測量，并借助一個(gè)穩健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持不同的門(mén)極驅動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動(dòng)器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結溫下提供8
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貿澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能 微型逆變器等設備的功率密度?！ ≠Q澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器，提高逆變器級工作效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！ ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設備提供所需驅動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類(lèi)器件中達到業(yè)內最低水平，該參數是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！ ishay
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穩健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性
- Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉向系統)和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統) 等汽車(chē)安全系統的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車(chē)規產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數亮相
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車(chē)展上，展示其全面豐富的車(chē)規產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車(chē)規產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于A(yíng)ECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！ ishay亞
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意法半導體高效超結MOSFET瞄準節能型功率轉換拓撲
- 意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉換器拓撲能效而設計?！ ♂槍涢_(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線(xiàn)有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現高開(kāi)關(guān)頻率，這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓撲結構中也有良好的能效表現?！ 〈送?，意法半導體最先進(jìn)的M6超結技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議
- 11月4-7日，由中國電源學(xué)會(huì )與IEEE電力電子學(xué)會(huì )聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議暨博覽會(huì )(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽w作為本次大會(huì )的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！ ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì )，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來(lái)自31個(gè)國家和地區的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì )議。大會(huì )主席、中國電源學(xué)會(huì )理事長(cháng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展
- 10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產(chǎn)業(yè)園展區，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！ ≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會(huì )，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產(chǎn)品應用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì )以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買(mǎi)家和專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾觀(guān)展，共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì )?！?/li>
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基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術(shù)研討會(huì )
- 11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議暨博覽會(huì )期間，來(lái)自中國、日本和韓國的第三代半導體專(zhuān)家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進(jìn)應用技術(shù)研討會(huì )?！ 〕鱿瘯?huì )議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(cháng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專(zhuān)家學(xué)者和基本半導體研發(fā)團隊。與會(huì )嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂(lè )獎”
- 近日，從深圳市人力資源和社會(huì )保障局傳來(lái)喜訊，基本半導體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂(lè )獎”?！ ∩钲谑腥瞬挪畼?lè )獎是由深圳市政府設立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強企業(yè)科技創(chuàng )新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過(guò)評選伯樂(lè )獎對在本市人才培養、引進(jìn)過(guò)程中作出貢獻的單位及個(gè)人給予表彰和獎勵?！ 』景雽w是第三代半導體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng )立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養。作為一家由海歸博士創(chuàng )立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來(lái)自英
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碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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