碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅動(dòng)器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(cháng)系統運行時(shí)間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動(dòng)器，幫助高壓/大功率系統設計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅動(dòng)器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統的開(kāi)關(guān)電源，典型應用包括太陽(yáng)能電源逆變器、電機驅動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、儲能系統、不間斷電源、數據農場(chǎng)及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開(kāi)關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來(lái)提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開(kāi)關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會(huì )產(chǎn)生較大噪聲，影響系統的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統、直插式和無(wú)線(xiàn)充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
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意法半導體完成對碳化硅晶圓廠(chǎng)商Norstel AB的并購

近日，橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價(jià)為1.375億美元，由現金支付。
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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科銳與ABB在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域展開(kāi)SiC合作

全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長(cháng)大功率半導體市場(chǎng)的采用。協(xié)議內容包括在A(yíng)BB種類(lèi)齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶(hù)基礎，同時(shí)加快ABB進(jìn)入正在快速擴大的電動(dòng)汽車(chē)（EV）市場(chǎng)。
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北京經(jīng)開(kāi)區第三代半導體現新突破

一輛新能源汽車(chē)、一組高能效服務(wù)器電源，核心功能的實(shí)現都離不開(kāi)電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn)，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日，記者在區內企業(yè)世紀金光半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實(shí)現第三代半導體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
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功率MOSFET的參數那么多，實(shí)際應用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點(diǎn)火試驗成功

近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統）微推力器陣列芯片接受地面點(diǎn)火指令成功點(diǎn)火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
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第三代半導體將催生萬(wàn)億元市場(chǎng)

　　日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會(huì )專(zhuān)家學(xué)者認為，第三代半導體未來(lái)應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國際廠(chǎng)商積極、務(wù)實(shí)推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個(gè)半導體行業(yè)宏觀(guān)政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
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SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應用中優(yōu)勢顯著(zhù)

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動(dòng)等電路設計。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì )到因成功反而受其害的含義。隨著(zhù)產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導體開(kāi)關(guān)的應用范圍越來(lái)越廣。結果，市場(chǎng)對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠(chǎng)商下大力氣滿(mǎn)足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
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減慢開(kāi)關(guān)轉換時(shí)要謹慎

開(kāi)關(guān)調節器中的快速開(kāi)關(guān)瞬變是有利的，因為這顯著(zhù)降低了開(kāi)關(guān)模式電源中的開(kāi)關(guān)損耗。尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開(kāi)關(guān)調節器的效率。但是，快速開(kāi)關(guān)轉換也會(huì )帶來(lái)一些負面影響。開(kāi)關(guān)轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì )急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng )新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開(kāi)關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉換，在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話(huà)第三代半導體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、坪山區人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng )新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì )，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國產(chǎn)半導體開(kāi)辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區科技創(chuàng )新局局長(cháng)黃鳴出席論
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Diodes公司推出微型車(chē)用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車(chē)用規范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車(chē)應用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標
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更高效的半導體材料——碳化硅

在功率電子學(xué)中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì )高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長(cháng)，風(fēng)能和太陽(yáng)能等可持續能源供應變得越來(lái)越重要。然而，電力通常遠離消費者產(chǎn)生。因此，高效的配電和運輸系統與將產(chǎn)生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開(kāi)支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場(chǎng)效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術(shù)。然而，在硅上使
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