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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
6種IGBT中的MOS器件隔離驅動(dòng)入門(mén)
- 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅動(dòng)
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗分析
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動(dòng)應用電路中出現的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對MOSFET柵極電荷、極間
- 關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔 緩啟動(dòng) 開(kāi)關(guān)損耗
功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
傳中興急單ODM/OEM抬價(jià)20%搶貨：MOSFET全年漲價(jià)30%
- MOSFET漲價(jià)已經(jīng)很長(cháng)一段時(shí)間，從今年年初至今，其漲價(jià)幅度已經(jīng)達到了5%-10%，相對另外一種被動(dòng)元器件MLCC，MOSFET漲價(jià)幅度還算在可接受范圍之內。簡(jiǎn)而言之，今年以來(lái)MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠(chǎng)近些年并沒(méi)有新增產(chǎn)能?！ ∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?lái)，汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足，價(jià)格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續了3個(gè)季度!據市場(chǎng)表示，今年上半年MOSFET
- 關(guān)鍵字： 中興 ODM OEM MOSFET
IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學(xué)習
- IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內?！ ±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開(kāi)關(guān)特性)?！ ?dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET
宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)
- 隨著(zhù)電子產(chǎn)品功能愈來(lái)愈多元，對于低功耗的要求也愈來(lái)愈高， MOSFET成為車(chē)用電子、電動(dòng)車(chē)勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶(hù)龐大需求下，電子產(chǎn)品驗證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內外廠(chǎng)商，包括全球知名晶圓廠(chǎng)、IDM廠(chǎng)商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底，前來(lái)宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開(kāi)始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！ ∫颂囟麻L(cháng) 余維斌指出，在車(chē)用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶(hù)的同時(shí)，發(fā)現了此
- 關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓
意法半導體推出離線(xiàn)轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
- 意法半導體的VIPer11離線(xiàn)轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線(xiàn)路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?！ ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作，可用于設計高效的5V輸出開(kāi)關(guān)電源。結合內部高壓?jiǎn)?dòng)、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動(dòng)振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡(jiǎn)化設計，節省空間和物料清單成本?！ IPer11高壓轉換器可實(shí)現由整流的AC線(xiàn)或其它直流電源直接供電的反激
- 關(guān)鍵字： 意法半導體，MOSFET
工業(yè)設備輔助電源驅動(dòng)用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來(lái)使系統正常運行。這類(lèi)產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽(yáng)能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設計簡(jiǎn)單、性?xún)r(jià)比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關(guān)鍵字： SiC，MOSFET
計算MOSFET非線(xiàn)性電容
- 最初為高壓器件開(kāi)發(fā)的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線(xiàn)性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著(zhù)減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜?！ OSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個(gè)過(guò)程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個(gè)值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關(guān)鍵字： MOSFET 非線(xiàn)性電容
國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調研基本半導體
- 4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研?！ 』景雽w董事長(cháng)汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！ ‰S后丁文武一行聽(tīng)取了基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術(shù)創(chuàng )新和戰略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng )新驅動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！ 壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 碳化硅 功率芯片 集成電路
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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