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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車(chē)應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車(chē)等要求
- 關(guān)鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析
- 2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導廠(chǎng)商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來(lái)了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場(chǎng)景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點(diǎn)在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪(fǎng)了英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統事業(yè)部大中華區 開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 碳化硅 SMD
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡(jiǎn)化了PCB組裝過(guò)程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過(guò)36%的空間。由于采
- 關(guān)鍵字： ?Nexperia MOSFET
科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、太陽(yáng)能應用創(chuàng )新
- 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
- 關(guān)鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動(dòng)汽車(chē)
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世 界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統事 業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市 場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續模 式
- 關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產(chǎn)和供應碳化硅材料的協(xié)議
- GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執行一項為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達5,000萬(wàn)美元。根據該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng )新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(cháng)市場(chǎng)和應用。
- 關(guān)鍵字： GT Advanced Technologies 安森美 碳化硅
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車(chē)行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”）的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
工業(yè)電機用功率半導體的動(dòng)向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動(dòng)工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無(wú)刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時(shí) 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來(lái)的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動(dòng)工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來(lái)自所有電機類(lèi)型的 商機感到興奮，并非?？春脽o(wú)刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動(dòng)工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來(lái)越多的半導體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導體市場(chǎng)預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車(chē)
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
- 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。
- 關(guān)鍵字： 儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封裝
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 MOSFET RDS(on)
Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數達到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率轉換拓撲結構和開(kāi)關(guān)電路的效率，從而節省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數（FOM）為129 mW*nC，達到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平。
- 關(guān)鍵字： SiR680ADP MOSFET Vishay
羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長(cháng)期供應協(xié)議
- 近日，羅姆和橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;)宣布，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長(cháng)期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場(chǎng)占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規定， SiCrystal將向意法半導體提供總價(jià)超過(guò)1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片，滿(mǎn)足時(shí)下市場(chǎng)對碳化硅功率器件日益增長(cháng)的需求。意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長(cháng)期供應協(xié)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 晶圓
環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫
- 半導體硅晶圓大廠(chǎng)環(huán)球晶圓董事長(cháng)徐秀蘭日前表示，明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數干擾，但從客戶(hù)端庫存改善、拉貨動(dòng)能加溫，以及應用擴大等來(lái)看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動(dòng)能升溫速度優(yōu)于預期，她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會(huì )逐季成長(cháng)。
- 關(guān)鍵字： 環(huán)球晶圓 硅晶圓 碳化硅
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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