碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區

SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問(wèn)題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車(chē)與再生能源越來(lái)越受到重視，將為中功率、高功率應用領(lǐng)域帶來(lái)大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說(shuō)將來(lái)所有的功率器件都會(huì )被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長(cháng)，共生共棲。
關(guān)鍵字：瑞薩，碳化硅

重磅消息！深圳第三代半導體研究院正式啟動(dòng)

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響?！　】萍疾吭辈块L(cháng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟決策委員會(huì )主任、深圳第三代半導體研究院理事長(cháng)曹健林，廣東省委常委、深圳市委書(shū)記王偉中，深圳市委副書(shū)記、市長(cháng)陳如桂，科技部高新司原司長(cháng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟決策委員會(huì )副主任、深圳第三代半
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電源設計經(jīng)驗之MOS管驅動(dòng)電路篇

　　MOSFET因導通內阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅動(dòng)常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅動(dòng)電路?！　≡谑褂肕OSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì )上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

　　全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應用電力電子
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宜普電源轉換公司(EPC)的專(zhuān)家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場(chǎng)帶來(lái)創(chuàng )新設計

　　EPC公司的管理及技術(shù)團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會(huì )上，與工程師會(huì )面并作技術(shù)交流。屆時(shí)，EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng )新設計，從而為工程師及其客戶(hù)，打造共創(chuàng )共贏(yíng)新局面?！　irFuel無(wú)線(xiàn)充電大會(huì )暨開(kāi)發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無(wú)線(xiàn)充電大會(huì )暨開(kāi)發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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高性能ZVS降壓穩壓器消除在寬輸入范圍負載點(diǎn)應用中提高功率吞吐量的障礙

　　當前具有更高整體效率的電子系統需要更高的功率密度，這為非隔離負載點(diǎn)穩壓器(niPOL)?帶來(lái)了大量變革。為了提高整體系統效率，設計人員選擇避免多級轉換，以獲得他們所需要的穩壓負載點(diǎn)電壓。這就意味著(zhù)niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時(shí)，繼續縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著(zhù)產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會(huì )進(jìn)一步提高?！　‰娫葱袠I(yè)通過(guò)對niPOL進(jìn)行多項技術(shù)升級來(lái)應對這一挑戰。過(guò)去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導體集成和M
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MOSFET芯片需求加劇缺貨之勢持續蔓延

MOSFET缺貨潮來(lái)勢洶洶，看著(zhù)突然實(shí)則必然，畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車(chē)飛速發(fā)展已成必然之勢。
關(guān)鍵字： MOSFET 芯片

一種具有后臺校正功能的電流舵DAC

　　隨著(zhù)工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)閾值電壓的失配常數Avt越來(lái)越小，電流源之間的匹配程度越來(lái)越高，然而隨著(zhù)DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數模轉換器)分辨率的提高，?DAC對電流源誤差的要求越來(lái)越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關(guān)，由于閾值電壓的溫度系數存在，DAC工作
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通過(guò)電源模塊提高電動(dòng)工具設計的性能

　　電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節)鋰離子電池供電的電機驅動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無(wú)刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長(cháng)?！　◎寗?dòng)電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實(shí)現工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長(cháng)的電池壽命并減少冷卻工作?？煽康牟僮骱捅Ｗo可延長(cháng)使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)?！　樵趦蓚€(gè)方向上驅動(dòng)BDC電機，您
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汽車(chē)電源的監視和開(kāi)關(guān)

　　引言　　在如今的汽車(chē)中，為了提高舒適度和行車(chē)體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂(lè )、行車(chē)安全等系統，從這些系統很容易理解在車(chē)中為各種功能供電的電子系統的好處?，F在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時(shí)，在汽油動(dòng)力汽車(chē)中，一個(gè)電子組件都沒(méi)有。在世紀交替時(shí)期的汽車(chē)開(kāi)始有了手搖曲柄，前燈開(kāi)始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車(chē)正處于徹底變成電子系統的交界點(diǎn)，最大限度減少了機械系統的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
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缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國產(chǎn)MOSFET持續主導消費類(lèi)市場(chǎng)

　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國內的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測廠(chǎng)的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠(chǎng)商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì )持續，只是幅度不會(huì )像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠(chǎng)將擴產(chǎn)，預計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說(shuō)。　　MOSFET作為應用廣泛的基礎類(lèi)元器件
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600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準

　　017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿(mǎn)足了高功率SMPS市場(chǎng)對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開(kāi)關(guān)拓撲具備業(yè)內領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設備電源和電動(dòng)汽車(chē)充電站等高功率SMPS應用?！　?nbsp;&n
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國產(chǎn)MOSFET持續主導消費類(lèi)市場(chǎng)

　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國內的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測廠(chǎng)的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠(chǎng)商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì )持續，只是幅度不會(huì )像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠(chǎng)將擴產(chǎn)，預計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說(shuō)。　　MOSFET作為應用廣泛的基礎類(lèi)元器件
關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓

功率因數校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？

功率因數校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來(lái)，隨著(zhù)汽車(chē)、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關(guān)注。
關(guān)鍵字： MOSFET 功率因數 Vishay

MOSFET芯片產(chǎn)能轉至車(chē)用電子供貨緊張

　　面對國際IDM大廠(chǎng)將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉到車(chē)用電子領(lǐng)域，并開(kāi)始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動(dòng)裝置產(chǎn)品客戶(hù)的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營(yíng)收成長(cháng)力道，客戶(hù)追加訂單的盛況更是前所未見(jiàn)。雖然第4季全球PC及NB市場(chǎng)需求照理說(shuō)會(huì )開(kāi)始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶(hù)對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂(lè )觀(guān)預期看法
關(guān)鍵字： MOSFET 芯片