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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿(mǎn)足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
- 隨著(zhù)汽車(chē)中電子系統數量的成倍增加，車(chē)內產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險也大幅升高了。因此，新式車(chē)輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開(kāi)關(guān)電源充斥著(zhù) EMI，并在整個(gè)汽車(chē)中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車(chē)電源的一項關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿(mǎn)足汽車(chē)制造商嚴格的 EMI 要求，同時(shí)擁有緊湊的尺寸以及集成化
- 關(guān)鍵字： MOSFET，LT8650S
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以?xún)鹊母咝矢綦x及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩定地區、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！ ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
- 關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以?xún)鹊母咝矢綦x及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩定地區、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！ ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
- 關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
- Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶(hù)將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本?！ √蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000 碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰略合作協(xié)議， 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應用
- 高溫與長(cháng)壽命半導體解決方案領(lǐng)先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車(chē)領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用?！ ISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，專(zhuān)為極端溫
- 關(guān)鍵字： CISSOID 碳化硅
宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線(xiàn)，無(wú)縫接軌BGBM晶圓減薄工藝
- 隨電源管理零組件MOSFET在汽車(chē)智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環(huán)節的不足，在半導體驗證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡(jiǎn)稱(chēng)BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶(hù)穩定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線(xiàn)生產(chǎn)良率連續兩月高于99.5%?！ ⊥瑫r(shí)為了協(xié)助客戶(hù)一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡(jiǎn)稱(chēng)FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
- 關(guān)鍵字： 宜特 MOSFET
應用角：汽車(chē) - 電動(dòng)汽車(chē)電池斷開(kāi)系統
- 在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)中，需要一種方法將高壓電池與車(chē)輛的其他部分斷開(kāi)連接。專(zhuān)門(mén)設計的大電流繼電器(接觸器)歷來(lái)一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開(kāi)連接，而不受損壞。這是通過(guò)使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來(lái)實(shí)現的。這些接觸器通常充滿(mǎn)惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統中，需要三個(gè)接觸器：一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導體，另一個(gè)更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開(kāi)電路圖如圖1所示?！ ‰妱?dòng)汽車(chē)制造商長(cháng)期以來(lái)一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開(kāi)問(wèn)題。功率半導
- 關(guān)鍵字： MOSFET，混合動(dòng)力
開(kāi)關(guān)電源設計：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？
- MOSFET已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 BJT MOSFET
功率MOSFET在集成驅動(dòng)電路中的設計應用簡(jiǎn)析
- 功率MOSFET目前在一些大中型開(kāi)關(guān)電源的驅動(dòng)電路中得到了廣泛的應用，此前我們曾經(jīng)為大家總結了幾種MOSFET在驅動(dòng)電路中的常見(jiàn)應用方式，在今天的文章中
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅動(dòng)電路 電源
干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅動(dòng)電路設計分享
- 功率開(kāi)關(guān)器件MOSFET在驅動(dòng)電路中的應用頻率在最近幾年直線(xiàn)上升，在一些中小功率的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅動(dòng)電路的設計不僅省時(shí)省力，還具有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅動(dòng)電路 設計
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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