華為出手第三代半導體材料 性能實(shí)現千倍提升

華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。

華創(chuàng )證券認為，我國及全球5G網(wǎng)絡(luò )正在大規模建設中。大數據傳輸、云計算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡(luò )傳輸速度及容量提出了越來(lái)越高的要求，大功率芯片的市場(chǎng)需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無(wú)可突破的空間。

而碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機”。碳化硅材料實(shí)現量產(chǎn)后，將打破國外壟斷，推動(dòng)國內5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。