科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、太陽(yáng)能應用創(chuàng )新

作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。

Wolfspeed高級副總裁兼總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“科銳引領(lǐng)從硅向碳化硅的全球產(chǎn)業(yè)轉型。我們的新型650V MOSFET系列邁進(jìn)了一步，為包括工業(yè)應用在內的更多應用領(lǐng)域提供高功率解決方案。650V MOSFET所提供的優(yōu)異功率效率，助力現今最大的技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)開(kāi)發(fā)新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電、數據中心、儲能方案等，幫助重塑我們的云技術(shù)和可再生能源基礎設施?！?/p>

新型15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件，采用科銳業(yè)界領(lǐng)先的第3代C3M MOSFET技術(shù)，比之競品碳化硅MOSFET，可最高降低20%開(kāi)關(guān)損耗，為更高效率和更高功率密度的解決方案提供更低的導通電阻。終端用戶(hù)將在各種不同應用中實(shí)現更高的功率使用效率、降低散熱需求、業(yè)界領(lǐng)先的可靠性，從而實(shí)現更低的總體擁有成本，并從中獲益。

與硅基方案相比較，Wolfspeed新型650V碳化硅MOSFET能夠降低75%開(kāi)關(guān)損耗和50%導通損耗，從而有望帶來(lái)300%功率密度提升。設計工程師現在可以滿(mǎn)足甚至超越業(yè)界極為嚴苛的效率標準，這其中包括了針對服務(wù)器電源的80 Plus? Titanium要求。

新型650V MOSFET系列同樣也適合于電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的車(chē)載充電機。更高的效率和更快的開(kāi)關(guān)，幫助客戶(hù)在設計更小尺寸方案時(shí)仍能獲得附加性能。Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET能夠助力車(chē)載充電機實(shí)現雙向充電功能，無(wú)需在系統的尺寸、重量、復雜度等方面進(jìn)行權衡妥協(xié)。與此同時(shí)，Wolfspeed在車(chē)用AEC-Q101認證方面的經(jīng)驗，以及業(yè)經(jīng)驗證的E-系列MOSFET，都為之后車(chē)用認證650V MOSFET鋪平了道路。