NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝

半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車(chē)應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。  新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。

LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車(chē)等要求嚴格的應用領(lǐng)域中使用近20年。事實(shí)證明，該封裝的可靠性遠高于AEC標準要求，超出關(guān)鍵可靠性測試指標2倍，同時(shí)獨特的封裝結構還提高了板級可靠性。  以前只有N溝道器件才采用LFPAK封裝?，F在，由于工業(yè)需求，Nexperia擴展了LFPAK56產(chǎn)品系列，將P溝道器件也囊括在內。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Malte Struck評論道：“新款P溝道MOSFET面向極性反接保護；作為高邊開(kāi)關(guān)，用于座位調節、天窗和車(chē)窗控制等各種汽車(chē)應用。它們也適用于5G基站等工業(yè)應用場(chǎng)景?！辈捎?/span>LFPAK56封裝的P溝道MOSFET現已上市。