碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區

英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開(kāi)多年期供應及合作協(xié)議

英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關(guān)系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協(xié)議，以補充并擴展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長(cháng)期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來(lái)10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體。英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過(guò)渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財 (IP)。雙
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開(kāi)關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線(xiàn)電感影響變得無(wú)法忽視，導致漏極源極之間會(huì )有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過(guò)使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效

2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(huì )(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴峻

PC、消費性市況在2022年第四季需求持續疲弱，且今年第一季客戶(hù)端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠(chǎng)營(yíng)運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場(chǎng)庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶(hù)端重復下單情況在2
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線(xiàn)。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì )干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來(lái)捋一捋。關(guān)于IGBT使用溝槽柵的原因及特點(diǎn)，可以參考下面兩篇文章：● 英飛凌芯片簡(jiǎn)史● &n
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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護時(shí)間

在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠(chǎng)環(huán)境中運行的執行器中使用的高邊開(kāi)關(guān)電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見(jiàn)故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發(fā)生這些情況時(shí)采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個(gè)820
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簡(jiǎn)述功率MOSFET電流額定值和熱設計

電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時(shí)的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時(shí)的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來(lái)了兩種后果：?? 每個(gè)電流
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小而薄的MOSFET柵極驅動(dòng)IC更適合小型化應用

電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉換都需要負載開(kāi)關(guān)，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實(shí)現斷電控制。負載開(kāi)關(guān)的作用是開(kāi)啟和關(guān)閉電源軌，大部分負載開(kāi)關(guān)包含四個(gè)引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過(guò)ON引腳使能器件時(shí)，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線(xiàn)路推出的MOSFET柵極驅動(dòng)IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開(kāi)關(guān)，它是TCK42xG系列中的首款產(chǎn)品。該系列器件專(zhuān)門(mén)用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“EV”）的逆變器。在全球實(shí)現無(wú)碳社會(huì )的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。羅姆自2010年
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轉型中的安森美:整合提升智能水平,打造價(jià)值導向解決方案

安森美在過(guò)去的兩年間通過(guò)成功的轉型之旅，實(shí)現了業(yè)績(jì)和利潤的雙豐收。在轉型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調整呢？帶著(zhù)這些問(wèn)題本刊記者采訪(fǎng)了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng )新支持和打造可持續發(fā)展的生態(tài)系統，這是驅動(dòng)安森美投資的主要動(dòng)力，也是企業(yè)職責所在。
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一文讀懂功率半導體

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會(huì )用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過(guò)一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過(guò)程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車(chē)

近日消息，從東風(fēng)汽車(chē)官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車(chē)，實(shí)現量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高，除了芯片的設計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節同樣有著(zhù)非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著(zhù)更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車(chē)電氣架構從400V到800V的迭代，從而實(shí)現10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車(chē)輛續航里程，降低整車(chē)成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線(xiàn)：可用于傳統工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場(chǎng)，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動(dòng)選型及供電設計要點(diǎn)

新能源汽車(chē)動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車(chē)載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場(chǎng)景高頻驅動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點(diǎn)，介紹了車(chē)載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動(dòng)芯片方案。最后，本文根
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純電動(dòng)捷豹 I-TYPE 6 賽車(chē)重磅發(fā)布，搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來(lái)納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車(chē)隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車(chē)提供功率半導體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車(chē)專(zhuān)為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：Formula E）設計、研發(fā)打造，標志著(zhù) Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車(chē)新時(shí)代。
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