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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
- 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過(guò) 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實(shí)現快速開(kāi)關(guān)的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實(shí)施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進(jìn)一步優(yōu)化了
- 關(guān)鍵字： 儒卓力 MOSFET
專(zhuān)為工業(yè)應用而設計的MOSFET—TOLT封裝
- 近年來(lái)，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開(kāi)發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無(wú)引腳封裝，以及內部硅技術(shù)的顯著(zhù)改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿(mǎn)足工業(yè)市場(chǎng)新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場(chǎng)英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
- 關(guān)鍵字： Arrow MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸、超低功耗的MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開(kāi)關(guān)應用。近年來(lái)，隨著(zhù)小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長(cháng)趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性?xún)?yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
- 關(guān)鍵字： ROHM MOSFET
日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導體：提高用電效率、增加電動(dòng)車(chē)續航里程
- 據日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據悉，羅姆花費約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉的用電效率， 若裝在純電動(dòng)汽車(chē)上，續航里程可提升一成，電池體積也可更小。據悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠(chǎng)今年開(kāi)設的碳化硅功率半導體專(zhuān)用廠(chǎng)房實(shí)施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷(xiāo)售額上調至1100億日元。公開(kāi)資料顯示， 碳化硅具備
- 關(guān)鍵字： 羅姆 功率半導體 碳化硅 新能源車(chē)
SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
- 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動(dòng)電壓，以及SiC器件驅動(dòng)設計中的寄生導通問(wèn)題。本文作為系列文章的第三篇，會(huì )從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過(guò)程，供設計工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)
- 關(guān)鍵字： 富昌電子 MOSFET
通過(guò)轉向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉換中的權衡問(wèn)題
- 高壓功率系統設計人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對持續創(chuàng )新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過(guò)，隨著(zhù)高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會(huì )在提高性能的同時(shí)，應對所有其他挑戰。 在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著(zhù)額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率轉換
RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場(chǎng)空白
- 現階段半導體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題，為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現階段半導體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題，為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
- 關(guān)鍵字： RS瑞森半導體 MOSFET
以碳化硅技術(shù)牽引逆變器 延展電動(dòng)車(chē)行駛里程
- 目前影響著(zhù)車(chē)輛運輸和半導體技術(shù)的未來(lái)有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅動(dòng)我們的汽車(chē)，同時(shí)重新設計支撐電動(dòng)車(chē)（EV）子系統的半導體材料，大幅提升功效比，進(jìn)而增加電動(dòng)車(chē)的行駛里程。政府監管機構持續要求汽車(chē)OEM減少其車(chē)系的整體二氧化碳排放量，對于違規行為給予嚴厲的處罰，同時(shí)開(kāi)始沿著(zhù)道路和停車(chē)區域增設電動(dòng)車(chē)充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進(jìn)展，主流消費者仍然對電動(dòng)車(chē)的行駛里程存有疑慮，使電動(dòng)車(chē)的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動(dòng)車(chē)電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關(guān)于行駛里程的
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 牽引逆變器 電動(dòng)車(chē) ADI
單芯片驅動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統設計
- 本文介紹最新的驅動(dòng)器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應用的整體性能。隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數是功率轉換效率，高
- 關(guān)鍵字： 單芯片 驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS 電源系統設計
安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jì)，其三季度業(yè)績(jì)直線(xiàn)上揚，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(cháng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(cháng)46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(cháng)25.1%；高級解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(cháng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(cháng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線(xiàn)保持增長(cháng)。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統的I
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領(lǐng)先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務(wù)器和通信設備。 多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專(zhuān)業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結合起來(lái)，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿(mǎn)足特定應用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來(lái)，針對電池隔離(BMS)、直流
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET ASFET SOA
安森美推出采用創(chuàng )新Top Cool封裝的MOSFET
- 2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng )新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰的汽車(chē)應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤(pán)，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過(guò)傳統的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度
- 關(guān)鍵字： 安森美 Top Cool封裝 MOSFET
安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動(dòng)汽車(chē)VISION EQXX單次充電續航更遠
- 2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）技術(shù)，這是兩家公司戰略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動(dòng)汽車(chē)VISION EQXX主驅逆變器的能效并減輕了其重量，使電動(dòng)汽車(chē)的續航里程增加10%。這款電動(dòng)汽車(chē)完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動(dòng)車(chē)
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 純電動(dòng)汽車(chē) 充電
碳化硅器件在UPS中的應用研究
- 本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯(lián)網(wǎng)數據中心中的應用和發(fā)展趨勢。對目前熱門(mén)的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術(shù)做了介紹，并著(zhù)重說(shuō)明了碳化硅器件在UPS應用中的優(yōu)勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯(lián)網(wǎng)數據中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數據的場(chǎng)所，是為了滿(mǎn)足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)以及信息服務(wù)需求而構建的應用基礎設施。受新基建、數字經(jīng)濟等國家政策影響以及新一代信息技術(shù)發(fā)展的驅動(dòng)，我國數據中心市場(chǎng)規模增長(cháng)迅猛。隨著(zhù)
- 關(guān)鍵字： Infineon 碳化硅 UPS
如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效
- 在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
- 關(guān)鍵字： Digi-Key MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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