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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效
- SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實(shí)現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品，其最大亮點(diǎn)是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
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AMP 創(chuàng )新型電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
- 2022年11月14日，美國北卡羅來(lái)納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過(guò)采用 Wolfspeed 創(chuàng )新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達成長(cháng)期碳化硅供應協(xié)議
- 中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協(xié)議。此次合作將提高半導體供應鏈的彈性，并更好地滿(mǎn)足汽車(chē)市場(chǎng)對先進(jìn)碳化硅解決方案迅速增長(cháng)的需求。隨著(zhù)客戶(hù)采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會(huì )為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
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SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿(mǎn)舉辦
- 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會(huì )議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現場(chǎng)做報告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
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捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動(dòng)汽車(chē)引入碳化硅半導體技術(shù)
- · 在“重塑未來(lái)”戰略指引下，捷豹路虎正在向電動(dòng)化優(yōu)先轉型，全力開(kāi)啟未來(lái)出行之路，在 2039 年實(shí)現凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰略合作將確保碳化硅（SiC）半導體技術(shù)的供應，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現、路虎?衛士、捷豹汽車(chē)電動(dòng)化的重要組成部分· &
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現“萬(wàn)物電氣化”
- 綠色倡議持續推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機實(shí)現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動(dòng)和液壓系統，為機載交流發(fā)電機、執行機構和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類(lèi)解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著(zhù)的貢獻體現在其所肩負實(shí)現商用運輸車(chē)輛電氣化的使命上，這些車(chē)輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著(zhù)1700V金屬
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC 電源管理 可配置數字柵極驅動(dòng) 萬(wàn)物電氣化
認識線(xiàn)性功率MOSFET
- 本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進(jìn)行說(shuō)明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優(yōu)勢，與方案選擇的應用思考。線(xiàn)性MOSFET是線(xiàn)性模式應用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\作。然而，用于線(xiàn)性模式應用時(shí)，標準MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩定性，從而可能導致組件損壞。A類(lèi)音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線(xiàn)性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線(xiàn)性模式運作在功率 MOSFET 的線(xiàn)性工作模式下，高電壓和高
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電源系統設計優(yōu)化秘技:單片驅動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)
- 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級封裝，從而實(shí)現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著(zhù)對這
- 關(guān)鍵字： 電源系統設計 單片驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS
科普：MOSFET結構及其工作原理
- MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著(zhù)氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體(S)導電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱(chēng)為絕緣柵型場(chǎng)效應管。市面上大家所說(shuō)的功率場(chǎng)效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
- 關(guān)鍵字： MOSFET
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案
- REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性?xún)r(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開(kāi)關(guān)特性，是電動(dòng)汽車(chē)和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動(dòng)汽車(chē)快速充電，功率轉換系統 （PCS）?場(chǎng)景應用
- 關(guān)鍵字： mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端 功率 dc 充電器
上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動(dòng)IC和MOSFET解決方案
- 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來(lái)越豐富，隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開(kāi)始探索更快的電量補給，以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶(hù)體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過(guò)一條USB-TYPE C線(xiàn)纜
- 關(guān)鍵字： 上海貝嶺 驅動(dòng)IC MOSFET
電動(dòng)汽車(chē)東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠(chǎng)碳化硅投資加速
- 碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車(chē)的快速發(fā)展緊密相連，隨著(zhù)新能源汽車(chē)的加速滲透，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級演變，車(chē)用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車(chē)規級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠(chǎng)近日，碳化硅廠(chǎng)商Wolfspeed公司表示，隨著(zhù)需求的激增，其將在北卡羅來(lái)納州查塔姆縣建造一座價(jià)值數十億美元的新工廠(chǎng)，以生產(chǎn)為電動(dòng)汽
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第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
- 2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯(lián)合投資，現有股東屹唐長(cháng)厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏儲能等市場(chǎng)的大規模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業(yè)務(wù)加速拓
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 代半導體 碳化硅
第三代半導體擴產(chǎn)，硅的時(shí)代要結束了嗎
- 半導體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門(mén)負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷(xiāo)售大幅下滑態(tài)勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(cháng)率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預期上調為“同比增長(cháng)3倍”，而
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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