EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
海力士
海力士 文章 進(jìn)入海力士技術(shù)社區
消息稱(chēng) SK 海力士將獨家供應英偉達 12 層 HBM3E 芯片
- 3 月 18 日消息，據臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預計將獨家供應英偉達 Blackwell Ultra 架構芯片第五代 12 層 HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達 9.6Gbps，在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語(yǔ)言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數的水平。去年 11 月，SK
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 英偉達 HBM3E 芯片
SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負責制造
- 2月19日消息，據報道，SK海力士已經(jīng)準備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標準，由臺積電（TSMC）負責制造，選擇更為先進(jìn)的工藝。同時(shí)，SK海力士還在積極推進(jìn)2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并計劃將相關(guān)芯片技術(shù)商業(yè)化。據消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開(kāi)始批量生產(chǎn)基于CXL標準的DDR5內存模塊，進(jìn)一步鞏固其在高端內存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。CXL作為一種開(kāi)放性的互聯(lián)協(xié)議，能夠實(shí)現CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
- 關(guān)鍵字： 海力士 CXL 臺積電
消息稱(chēng)三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動(dòng) LPDDR6-PIM 內存
- 12 月 3 日消息，據韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專(zhuān)門(mén)用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱(chēng)，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設備工程委員會(huì )（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個(gè)需要標準化項目的適當規格?！?圖源三星PIM 內存技術(shù)是一種將存儲和計
- 關(guān)鍵字： 三星電子 SK 海力士 內存
消息稱(chēng) SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品
- 10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時(shí)間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長(cháng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jì)H以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時(shí)，SK 海力
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 CIS HBM 內存
SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內存意向
- IT之家 8 月 20 日消息，據韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時(shí)間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話(huà)溝通，并為滿(mǎn)足這些企業(yè)的需
- 關(guān)鍵字： 海力士 HBM 內存
AI 驅動(dòng)企業(yè)級 SSD 價(jià)格及需求暴漲，SK 海力士擴產(chǎn)應對
- IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務(wù)器需求激增影響，企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的價(jià)格飆升了 80% 以上。為滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續升溫，不僅帶動(dòng)了高帶寬內存（HBM）芯片需求，如今也正在推動(dòng)企業(yè)級 SSD 市場(chǎng)快速增長(cháng)。AI 服務(wù)器存儲的數據量呈指數級增長(cháng)，企業(yè)紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價(jià)確保供應。面對企業(yè)級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴大采用四層單元（QLC）技
- 關(guān)鍵字： AI 存儲 海力士
因 HBM3/3E 內存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%
- IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報道稱(chēng)，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應鏈人士稱(chēng)，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱(chēng) DDR5 價(jià)格在今年有著(zhù) 10%-20% 上漲空間：各大廠(chǎng)商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統旺季，預計價(jià)格會(huì )有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報道，SK 海力士等三大原廠(chǎng)采用 EUV
- 關(guān)鍵字： 海力士 HBM 存儲
三星工藝輸臺積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷
- 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，最后統計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問(wèn)題，如果不改變將出現惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場(chǎng)文化，強調應停止隱瞞或回避問(wèn)題，若不改變將出現惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴(lài)市場(chǎng)，沒(méi)恢復根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營(yíng)運的困境?！谷歉偁帉κ諷K海力士（SK Hynix）在A(yíng)I內存領(lǐng)域追趕，
- 關(guān)鍵字： 三星 臺積電 海力士
SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮
- 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續發(fā)展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗工藝，用于去除沉積過(guò)程中腔室內部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著(zhù)高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過(guò)去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 芯片 生產(chǎn)工藝 氟氣 三氟化氮
SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
- 《科創(chuàng )板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠(chǎng)，用于測試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤(pán)之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤(pán)，這意味著(zhù)芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊，并增加帶寬。
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 HBM 混合鍵合技術(shù)
消息稱(chēng)三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款，擴張運營(yíng)
- IT之家 7 月 1 日消息，據《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行申請 5 萬(wàn)億和 3 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業(yè)務(wù)擴張。韓國產(chǎn)業(yè)銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構，主要為韓國國家經(jīng)濟發(fā)展提供長(cháng)期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態(tài)系統綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產(chǎn)業(yè)銀行將向半導體企業(yè)發(fā)放 17 萬(wàn)億韓元低息貸款，其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓?zhuān)行?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星電子 SK 海力士
通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存
- IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(cháng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價(jià)格年內也不會(huì )
- 關(guān)鍵字： 海力士 三星 DRAM
AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(cháng)
- 2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標志性事件，宣告著(zhù)新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。 在這波浪潮中，伴隨著(zhù)人才、數據、算力的不斷升級，AI產(chǎn)業(yè)正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現井噴的態(tài)勢，全球算力規模超高速增長(cháng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢脫穎而出，然
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 美光 HBM
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473