據國外媒體報道，全球第二大電腦內存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實(shí)現凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個(gè)人電腦需求低迷導致芯片價(jià)格下滑影響。
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海力士 內存芯片
2010年韓國半導體、顯示器設備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷(xiāo)售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業(yè)年度銷(xiāo)售逾2,000億韓元，過(guò)去韓國半導體及顯示器設備國產(chǎn)業(yè)者積極推動(dòng)事業(yè)多元化及擴大出口，形成規模經(jīng)濟以建構可永續發(fā)展的基礎，目前正快速成長(cháng)中。根據韓國電子公示系統(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷(xiāo)售突破2,000億韓元的設備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士 電子制造設備
2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權銀行團接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計算機內存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現任執行長(cháng)權五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪(fǎng)問(wèn)時(shí)，目前海力士首要目標是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?！?/li>
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海力士 內存芯片 NAND
海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì )，社長(cháng)權五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現反彈。
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海力士 DRAM
三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內存顆粒、內存條開(kāi)發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進(jìn)的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標準規范?！?/li>
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海力士 內存
海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì )，社長(cháng)權五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現反彈。
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海力士 DRAM
全球第二大計算機內存芯片廠(chǎng)商海力士半導體周三稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內存芯片。
海力士在聲明中稱(chēng)，通過(guò)使用一種名為T(mén)SV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。
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海力士 DRAM
韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關(guān)芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實(shí)驗室承擔，SEMATECH提供組織和協(xié)調。海力士半導體研發(fā)部門(mén)主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實(shí)現高密度、小型化封裝的一個(gè)方向、而且還有可能降低制造成本?！?/li>
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海力士 半導體
據路透(Reuters)報導，全球第2大存儲器芯片廠(chǎng)海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進(jìn)行資本投資。
據海力士計劃，該筆資金將用于擴張既有廠(chǎng)房、設備升級與研究開(kāi)發(fā)工作。該公司公開(kāi)說(shuō)明指出，本次投資規畫(huà)旨在因應市場(chǎng)需求與成本競爭壓力加劇。
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海力士 半導體
據國外媒體報道，韓國半導體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴大和升級現有工廠(chǎng)，以及開(kāi)展研發(fā)工作。
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海力士 半導體
存儲器大廠(chǎng)海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當道，海力士還有1座空著(zhù)的12寸晶圓廠(chǎng)M12，未來(lái)若此座廠(chǎng)房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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海力士 NAND
1月30日，海力士半導體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項目4.5億美元銀團貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項目，由國家開(kāi)發(fā)銀行江蘇省分行、中國農業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國銀行、工商銀行、建設銀行、中信銀行共同參與組建銀團，融資總額4.5億美元。這次銀團簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項目銀團后的又一次成功合作。
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海力士 集成電路
韓國《東亞日報》周一報道，海力士半導體債權人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導體的債權人可能會(huì )繼續為他們所持海力士半導體的剩余股份尋找買(mǎi)家。
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海力士 半導體
海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計算機用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據海力士表示，計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。
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海力士 DRAM
據彭博(Bloomberg)報導，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟日報(Seoul Economic Daily)的報導。
彭博電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)發(fā)言人Park Seong Ae指出，實(shí)際投資金額可能會(huì )依市場(chǎng)情況而調整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會(huì )比較小。
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海力士 DRAM
海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng )立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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