SK海力士HBM3e良率已接近80%
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5月23日消息，據英國《金融時(shí)報》報道，SK海力士高層Kwon Jae-soon近日向其透露，SK海力士的HBM3E良率接近80%，生產(chǎn)效率也明顯提升。
相較標準DRAM產(chǎn)品，HBM制造過(guò)程牽涉DRAM層間建立TSV硅通孔和多次芯片鍵合，復雜程度直線(xiàn)上升。一層DRAM出問(wèn)題，就讓整個(gè)HBM堆疊報廢。故HBM生產(chǎn)必須更謹慎，提升效率也更難。八層至12層堆疊HBM3E天生良率就落后標準DRAM。
此前韓媒DealSite曾于3月報道稱(chēng)，SK海力士的HBM良率僅約65%?，F在SK海力士的HBM良率提高到80%，顯示良率有明顯改進(jìn)。
Kwon Jae-soon也提到，SK海力士已將HBM3E生產(chǎn)周期減少50%。更短產(chǎn)期代表更高效率，輝達等下游客戶(hù)貨源更充足。他也再次確認SK海力士今年重點(diǎn)是生產(chǎn)八層堆疊HBM3E，因目前是客戶(hù)需求大宗。Kwon Jae-soon強調，人工智能時(shí)代，提高產(chǎn)量對保持領(lǐng)先地位越來(lái)越重要。
編輯：芯智訊-林子
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