SK海力士已量產(chǎn)HBM3E，并計劃2026年大規模量產(chǎn)HBM4

2月3日消息，據《韓國商報》報道，在近日的“SEMICON 韓國 2024”展會(huì )上，SK海力士副總裁Chun-hwan Kim透露，該公司HBM3E內存已經(jīng)量產(chǎn)，并計劃在 2026 年開(kāi)始大規模生產(chǎn) HBM4。

Chun-hwan Kim表示：“隨著(zhù)AI計算時(shí)代的到來(lái)，生成式人工智能（AI）正在迅速發(fā)展，市場(chǎng)預計將以每年35%的速度增長(cháng)?！倍墒紸I市場(chǎng)的快速增長(cháng)則需要大量更高性能的AI芯片來(lái)支持，這也將進(jìn)一步推動(dòng)對于更高帶寬的內存芯片的需求。

早在去年8月21日，SK海力士就宣布其開(kāi)發(fā)出的HBM3e DRAM已經(jīng)提供給英偉達（NVIDIA）和其他客戶(hù)評估，并計劃在2024年上半年量產(chǎn)，以鞏固其在 AI 內存市場(chǎng)的領(lǐng)導地位?，F在，Chun-hwan Kim宣布，該公司HBM3E內存已經(jīng)正式量產(chǎn)。

據介紹，SK海力士的HBM3e在 1024 位接口上擁有9.6 GT/s 的數據傳輸速率，單個(gè) HBM3E 內存堆?？商峁?1.2 TB/s 的理論峰值帶寬，對于由六個(gè)堆棧組成的內存子系統來(lái)說(shuō)，帶寬可高達 7.2 TB/s。不過(guò)，該帶寬是理論上的。例如，英偉達（Nvidia）的 H200所集成的HBM3e內存僅提供高達 4.8 TB/s的傳輸速率，可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。

隨著(zhù)人工智能和高性能計算（HPC）行業(yè)的需求持續增長(cháng)，因此具有2048位接口的下一代HBM4內存成為各家內存大廠(chǎng)發(fā)力的重點(diǎn)。

Chun-hwan Kim明確表示，SK海力士將在 2026 年開(kāi)始生產(chǎn)HBM4，并聲稱(chēng)這將推動(dòng)人工智能市場(chǎng)的巨大增長(cháng)。他認為，除了向下一代轉型之外，重要的是要認識到HBM行業(yè)面臨著(zhù)巨大的需求。因此，創(chuàng )建一個(gè)既具有無(wú)縫供應又具有創(chuàng )新性的解決方案更為重要。Chun-hwan Kim認為，到 2025 年，HBM 市場(chǎng)預計將增長(cháng) 40%，SK海力士已盡早定位以充分利用這一市場(chǎng)。

同樣，美光和三星也計劃在2026年量產(chǎn)HBM4。

據美光介紹，HBM4 將使用 2048 位接口，可以將每個(gè)堆棧的理論峰值內存帶寬提高到 1.5 TB/s 以上。為了實(shí)現這一目標，HBM4 需要具有約 6 GT/s 的數據傳輸速率，這將有助于控制下一代 DRAM 的功耗。同時(shí)，2048 位內存接口需要在內插器上進(jìn)行非常復雜的布線(xiàn)，或者僅將 HBM4 堆棧放置在芯片頂部。在這兩種情況下，HBM4 都會(huì )比 HBM3 和 HBM3E 更昂貴。

三星內存執行副總裁 Jaejune Kim 在與分析師和投資者舉行的最新財報電話(huà)會(huì )議上也表示：“HBM4 正在開(kāi)發(fā)中，預計 2025 年提供樣品，2026 年實(shí)現量產(chǎn) 。 ” “在生成式 AI 的推動(dòng)下，對定制 HBM 的需求不斷增長(cháng)，因此我們不僅開(kāi)發(fā)標準產(chǎn)品，而且還通過(guò)添加邏輯芯片為每個(gè)客戶(hù)開(kāi)發(fā)性能優(yōu)化的定制 HBM。詳細規格正在與關(guān)鍵產(chǎn)品討論顧客?！?/p>

編輯：芯智訊-浪客劍