EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
海力士
海力士 文章 進(jìn)入海力士技術(shù)社區
1年利潤暴跌84.9%！三星樂(lè )觀(guān) 今年業(yè)績(jì)回暖：存儲漲價(jià)是開(kāi)始
- 2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過(guò)，全年利潤暴跌84.9%，確實(shí)沒(méi)辦法，不過(guò)他們保持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年營(yíng)收為258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.3%；營(yíng)業(yè)利潤為6.57萬(wàn)億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法，2024年上半年業(yè)績(jì)會(huì )回暖，其中以存儲產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì )停止，只會(huì )更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國內重量級NAN
- 關(guān)鍵字： 存儲 三星 鎂光 海力士 NAND
后疫情時(shí)代需求爆發(fā)，半導體存儲產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的曙光
- 疫情后數字時(shí)代的復蘇，使得世界數字經(jīng)濟快速發(fā)展、數據產(chǎn)業(yè)百業(yè)待興，因此數據存儲市場(chǎng)也逐漸迎來(lái)活力；存儲市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格戰，減產(chǎn)維穩到“硬漲價(jià)”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競爭勢態(tài)。當然，在面對挑戰和威脅的時(shí)候，也激勵著(zhù)存儲技術(shù)持續突破。與此同時(shí)，環(huán)境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術(shù)的快速發(fā)展，也讓市場(chǎng)競爭格局分化，各細分領(lǐng)域爭奪激烈。存儲器是集成電路的重要組成部分，根據WSTS統計，2022年全球半導體市場(chǎng)規模達到5741億美金，其中集成電路市場(chǎng)規模4744億美金，占比 82.6%，存儲器的市場(chǎng)規模
- 關(guān)鍵字： 數據存儲 美光 三星 海力士
你所需要知道的HBM技術(shù)
- 在2024年即將到來(lái)之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長(cháng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長(cháng)空間。隨著(zhù)GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來(lái)了解一下什么是HBM。HBM全稱(chēng)為High Bandwich Me
- 關(guān)鍵字： HBM DDR AI GPU 美光 海力士
消息稱(chēng) SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達到了 35%，是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報告來(lái)看，DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng )下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷(xiāo)售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長(cháng) 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷(xiāo)售額則是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 海力士
三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達 132.4 億美元，連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)
- 11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開(kāi)始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠(chǎng)商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類(lèi)存儲產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷(xiāo)售額環(huán)比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷(xiāo)售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(cháng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)。全球 DRAM 的銷(xiāo)售額在三季度明顯增長(cháng)，也就意味著(zhù)主要廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額，環(huán)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
存儲器報價(jià) 明年H1抬頭
- 三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續舉行法說(shuō)，釋出對存儲器產(chǎn)業(yè)看法，兩大廠(chǎng)商均表示，PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統服務(wù)器需求依然疲弱，而AI服務(wù)器需求則較為強勁。業(yè)界人士認為，存儲器原廠(chǎng)減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷，在獲利數字翻正前，應會(huì )持續減產(chǎn)策略，預期2024年上半年內存報價(jià)向上趨勢不變。臺系存儲器相關(guān)廠(chǎng)商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng )見(jiàn)、十銓、宇瞻等有望受惠。時(shí)序進(jìn)入第四季，三星認為，市場(chǎng)復蘇將加速，在旺季帶動(dòng)之下，市場(chǎng)DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
- 關(guān)鍵字： 存儲器 三星 海力士
全面暫停生產(chǎn)！知名半導體大廠(chǎng)宣布倒閉，虧損超8倍
- 半導體產(chǎn)業(yè)作為現代科技的重要支撐，對經(jīng)濟發(fā)展和社會(huì )進(jìn)步起著(zhù)關(guān)鍵性的作用。半導體在計算機、通信、消費電子、汽車(chē)、工業(yè)控制、醫療設備等各個(gè)領(lǐng)域廣泛應用，扮演著(zhù)連接現實(shí)世界與數字世界的橋梁。然而，半導體產(chǎn)業(yè)正面臨著(zhù)嚴峻的挑戰。1、技術(shù)研發(fā)半導體技術(shù)日新月異，要保持競爭力必須不斷進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和創(chuàng )新。新興技術(shù)的涌現不僅促使企業(yè)進(jìn)行升級換代，同時(shí)也帶來(lái)了更多的市場(chǎng)機會(huì )。然而，技術(shù)研發(fā)需要投入大量的資金和人力資源，對于規模較小的企業(yè)來(lái)說(shuō)具有較大的挑戰。 2、產(chǎn)品質(zhì)量半
- 關(guān)鍵字： 海力士 半導體 通信
消息稱(chēng)三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品
- IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士?jì)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開(kāi)始量產(chǎn)。報道稱(chēng) HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱(chēng)三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 內存
海力士競逐 HBM 市場(chǎng)份額，正計劃將擴建其產(chǎn)能并使產(chǎn)能翻倍
- 6 月 18 日消息，據 businesskorea 以及 etnews 報道，SK 海力士將擴展其 HBM3 后道工藝生產(chǎn)線(xiàn)，并已收到英偉達要求其送測 HBM3E 樣品的請求據稱(chēng)，考慮到對人工智能 (AI) 半導體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產(chǎn)能翻倍的計劃。業(yè)內消息稱(chēng) SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對 HBM3E 樣品的請求，并正在準備發(fā)貨。HBM3E 是當前可用的最高規格 DRAM HBM3 的下一代，被譽(yù)為是第五代半導體產(chǎn)品。SK 海力士目前正致力于開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： businesskorea SK 海力士 HBM3 英偉達 HBM3E
海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內存程序進(jìn)行驗證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對
- 關(guān)鍵字： 海力士 DDR5
海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng )立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
200 [ 查看詳細 ]
海力士專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473