SK海力士無(wú)錫廠(chǎng)工藝升級，巧用一招化解EUV光刻機受限問(wèn)題！

1月16日消息，根據韓國媒體引用市場(chǎng)人士的說(shuō)法報道指出，SK海力士計劃將中國無(wú)錫工廠(chǎng)一部分的C2晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，提升至采用10nm級的第四代（1a）DRAM制程技術(shù)，以為了接下來(lái)因應市場(chǎng)的需求進(jìn)行擴產(chǎn)做準備。

目前，中國無(wú)錫工廠(chǎng)是SK海力士最主要的海外生產(chǎn)基地，其產(chǎn)能約占SK海力士DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，該工廠(chǎng)正在生產(chǎn)10nm級的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM產(chǎn)品，屬于較舊制程技術(shù)。

報道稱(chēng)，SK海力士計劃將中國無(wú)錫工廠(chǎng)改造成生產(chǎn)10nm級第四代DRAM或更先進(jìn)制程的目標并不容易，原因是受到美國針對中國大陸所施行的先進(jìn)半導體設備出口禁令所影響。美國政府自2019年起，就已經(jīng)要求荷蘭政府禁止出口A(yíng)SML EUV光刻機到中國大陸。而SK海力士預計生產(chǎn)的10奈米級第四代DRAM就必須采用EUV曝光機，但由于無(wú)法將EUV光刻機引入到其中國無(wú)錫工廠(chǎng)，因此SK海力士無(wú)法用正常的方法生產(chǎn)10nm級第四代DRAM。

2022年10月7日，美國又出臺了新的對華半導體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠(chǎng)商獲取先進(jìn)邏輯制程芯片、128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的能力，除非獲得美國商務(wù)部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠(chǎng)。隨后，荷蘭和日本也相繼在2023年跟進(jìn)，與美國的限制政策對齊。

雖然SK海力士及三星在中國的晶圓廠(chǎng)獲得了一年的豁免期，但是由于無(wú)法確定后續是否能夠繼續獲得豁免，這也使得三星和SK海力士不敢對其在中國的晶圓廠(chǎng)進(jìn)行進(jìn)一步的升級。

不過(guò)，在2023年10月，美國商務(wù)部向三星電子和SK海力士位于中國大陸的晶圓廠(chǎng)提供“無(wú)限期豁免”，即美國供應商無(wú)需任何許可，就可向三星和SK海力士在華晶圓廠(chǎng)供應半導體設備。此舉消除了三星和SK海力士在華晶圓廠(chǎng)運營(yíng)的不確定性，因此也使得他們能夠繼續對這些晶圓廠(chǎng)進(jìn)行升級。也就是說(shuō)，他們能夠繼續在中國大陸制造128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片。但是，EUV光刻機仍屬于禁運之列。所以，SK海力士無(wú)法在無(wú)錫晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)需要用到EUV制程的10nm級的第四代（1a）DRAM。

為了解決這一問(wèn)題，SK海力士選擇在制程轉換上以“運輸”（兩地制造）的方式來(lái)應對，即10nm級制程的第4代DRAM部分生產(chǎn)在中國無(wú)錫工廠(chǎng)進(jìn)行，之后生產(chǎn)出來(lái)的晶圓再被送回SK海力士總部所在的韓國利川園區，進(jìn)行EUV制程階段的制造，然后再運回無(wú)錫完成最后的制造過(guò)程。由于EUV制程在第4代DRAM產(chǎn)品中僅使用一層的曝光應用，所以就增加的成本來(lái)說(shuō)將是SK海力士可以接受的。

事實(shí)上，SK海力士在2013年中國無(wú)錫工廠(chǎng)發(fā)生火災期間，就曾經(jīng)使用此方法克服DRAM生產(chǎn)中斷問(wèn)題。不過(guò)，對于中國無(wú)錫工廠(chǎng)的制程轉換狀況，SK海力士則表示無(wú)法確認具體的工廠(chǎng)營(yíng)運計劃。

報道強調，2013年SK海力士的中國無(wú)錫工廠(chǎng)發(fā)生火災時(shí)，SK展示了其對運輸的巧妙運用。當某些生產(chǎn)線(xiàn)在當時(shí)火災中完全完全被破壞、無(wú)法立即進(jìn)行生產(chǎn)時(shí)，部分生產(chǎn)完成的晶圓被裝載到飛機上，帶回到利川工廠(chǎng)，進(jìn)行必要的工作，然后再運回中國無(wú)錫工廠(chǎng)完成。由于當時(shí)的火災，無(wú)錫工廠(chǎng)的產(chǎn)能降到每月65,000片的情況，約為原來(lái)產(chǎn)能的一半。通過(guò)運輸的方法，盡可能的將DRAM的供應風(fēng)險降到最低，并且能在2個(gè)半月的時(shí)間內快速恢復。這情況顛覆了業(yè)界對火災危機將持續六個(gè)月至一年的預期，也克服了史無(wú)前例的DRAM供需危機。

如今，SK海力士又將上演10年前的戲碼。由于美國對中國大陸的限制，導致EUV光刻機無(wú)法進(jìn)入到中國大陸境內，使得SK海力士不得不選擇將無(wú)錫工廠(chǎng)的晶圓所需的EUV生產(chǎn)工序轉移到韓國利川工廠(chǎng)，藉此來(lái)實(shí)現無(wú)錫晶圓廠(chǎng)10nm級的第四代DRAM的生產(chǎn)。

隨著(zhù)半導體市場(chǎng)進(jìn)入復蘇階段，高性能DRAM芯片的產(chǎn)能擴張也開(kāi)始進(jìn)入刻不容緩的時(shí)機點(diǎn)。通過(guò)運輸的方式，SK海力士對高性能DRAM芯片生產(chǎn)擴產(chǎn)也有了一個(gè)可靠的解決方式。

編輯：芯智訊-林子