因 HBM3/3E 內存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報道稱(chēng)，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應鏈人士稱(chēng)，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。

今年 6 月就有消息稱(chēng) DDR5 價(jià)格在今年有著(zhù) 10%-20% 上漲空間：各大廠(chǎng)商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統旺季，預計價(jià)格會(huì )有所上漲。

▲ SK 海力士 DDR5 DRAM

IT之家今日早些時(shí)候還有報道，SK 海力士等三大原廠(chǎng)采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即將在 2024~2025 年推出。而從下代 1d nm 節點(diǎn)開(kāi)始，先進(jìn)內存將使用 EUV 多重曝光，大幅提升生產(chǎn)流程中 EUV 光刻環(huán)節的成本。