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海力士
海力士 文章 進(jìn)入海力士技術(shù)社區
DRAM現貨價(jià)跌破2美元 歷史新低
- 動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)現貨價(jià)持續破底，DDR3 4Gb顆?，F貨均價(jià)已跌破2美元大關(guān)，達1.96美元，創(chuàng )歷史新低價(jià)。 DRAM市場(chǎng)庫存問(wèn)題依然嚴重，DRAM現貨價(jià)如預期持續滑落，據市調機構集邦科技調查，DDR3 4Gb顆?，F貨均價(jià)滑落至1.96美元，創(chuàng )下歷史新低價(jià)。 第4季來(lái)DDR3 4Gb顆?，F貨均價(jià)下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 南亞科預期，DRAM價(jià)格可望逐步趨于穩定，第4季產(chǎn)品價(jià)格將較第3季微幅下滑。 只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場(chǎng)已
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲器雙雄掀軍備競賽
- 昨日南韓半導體廠(chǎng)SK 海力士才發(fā)布史上最大擴產(chǎn)計畫(huà)，隔天三星即宣布新廠(chǎng)下個(gè)月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場(chǎng)正式進(jìn)入新一輪的軍備競賽。 三星新廠(chǎng)位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠(chǎng)部分產(chǎn)線(xiàn)過(guò)去幾個(gè)月已進(jìn)行過(guò)試產(chǎn)，年底將全面啟用。 另外，三星目前在平澤市還有一半導體廠(chǎng)正在興建，三星計畫(huà)未來(lái)兩年在這座工廠(chǎng)砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導體廠(chǎng)的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來(lái)十年內將投
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海力士擴產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠(chǎng)南韓SK海力士昨(25)日宣布，規劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠(chǎng)，預計2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現止跌訊號，市場(chǎng)憂(yōu)心，SK海力士大舉擴產(chǎn)，長(cháng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過(guò)于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠(chǎng)新的資本投資，因為大規模的支出可能導致供給過(guò)剩，或引爆價(jià)格戰，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場(chǎng)憂(yōu)心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺股大漲逾265點(diǎn)下
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三星大敵當前，海力士、SanDisk專(zhuān)利訴訟戰大和解
- 南韓記憶體大廠(chǎng)SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達成和解，與此同時(shí)，雙方還將擴大專(zhuān)利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專(zhuān)利授權取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權利金，并供應DRAM予SanDisk，時(shí)間將持續至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠(chǎng)SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預計9月開(kāi)始對客戶(hù)出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據日經(jīng)新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì )投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營(yíng)業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲器封裝揭密
- 過(guò)去幾個(gè)月來(lái)，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱(chēng)可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來(lái)，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現晶片至晶片間連接。 圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買(mǎi)設備
- 記憶體大廠(chǎng)整軍經(jīng)武，準備展開(kāi)新一波大戰!據傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買(mǎi)設備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉進(jìn)新制程，拉高戰力。 韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠(chǎng)爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據了解，由2D轉進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設備。據了解，三星最早量產(chǎn)3D
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突破細微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)
- 全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠(chǎng)商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導體大廠(chǎng)SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過(guò)東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標為在2017年實(shí)用化。 東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權案一事達成和解，海力士(
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DRAM樂(lè )觀(guān) NAND有隱憂(yōu)
- 記憶體市況今年將不同調;動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂(yōu)。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠(chǎng)去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠(chǎng)南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng )歷史新高紀錄。 NAND Flash市場(chǎng)競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
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研調預估：8寸晶圓 明年產(chǎn)能續滿(mǎn)載
- 今年以來(lái)8寸產(chǎn)能滿(mǎn)載話(huà)題延燒，市場(chǎng)看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續吃緊。研調機構IC Insights出具報告指出，韓國、臺灣在全球8寸廠(chǎng)中仍將扮演領(lǐng)導地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達35%，臺灣則占21%。 IC Insights指出，韓國的8寸產(chǎn)能主要來(lái)自三星與海力士?jì)纱髲S(chǎng)商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠(chǎng)就在中國大陸，三星
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研調：臺韓兩地合計掌控全球56%12吋晶圓產(chǎn)能
- 研調機構IC Insights表示，臺灣及韓國半導體廠(chǎng)持續積極擴產(chǎn)，合計已掌握全球56%的12吋晶圓產(chǎn)能。 IC Insights指出，三星(Samsung)與海力士 ( Hynix )合計掌握全球35%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，三星一家便掌握全球高達24%的12吋晶圓產(chǎn)能。臺灣廠(chǎng)商則掌握全球約21%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，有85%的產(chǎn)能主要投入晶圓代工，有15%產(chǎn)能生產(chǎn)記憶體產(chǎn)品。至于北美廠(chǎng)商則掌握全球28%的12吋晶圓產(chǎn)能，日本廠(chǎng)商則掌握全球14%的12吋晶圓產(chǎn)能。 另外，就全球晶圓產(chǎn)能
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三星半導體設備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠(chǎng)
- 韓國時(shí)報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠(chǎng)市占率合計來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩定與市場(chǎng)供需平衡。 據報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設新廠(chǎng)房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩，
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海力士介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng )立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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