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晶圓廠(chǎng)陸續上線(xiàn) 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內存

  •   研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過(guò)DRAM內存。   根據SMA報告,閃存產(chǎn)能從2000年以來(lái)已經(jīng)增長(cháng)了四倍,達到相當于290萬(wàn)片200毫米硅晶圓的規模。相比之下,DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(cháng)225%。   報告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。   預計2008年和2009年,將有另外超過(guò)十座晶圓廠(chǎng)上線(xiàn)。SMA預計,當設備裝機完成時(shí),將帶來(lái)每月相當于150萬(wàn)片2
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評論:你準備好向450mm晶圓制造進(jìn)軍了么

  •   IC行業(yè)制造商和材料提供商最近表達了可能把IC制造從300mm晶圓制造轉為450mm晶圓制造方面的看法。   需求方   有些公司認為這種轉變不會(huì )發(fā)生。據市場(chǎng)調研公司ICInsights對這種看法持強烈的反對意見(jiàn)。雖然轉向450mm的晶圓生產(chǎn)不是馬上就要到來(lái),ICInsights公司認為這只是到來(lái)的時(shí)間問(wèn)題,而不是是否會(huì )到來(lái)的問(wèn)題。IC設備商和材料提供商可能非常不愿意進(jìn)行450mm晶圓產(chǎn)品的生產(chǎn),但是生產(chǎn)450mm產(chǎn)品是個(gè)必然的方向.。   對是否進(jìn)行450mm晶圓制造的爭論的一個(gè)焦點(diǎn)就是,45
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Carbon Trust投資英商康橋半導體2,600萬(wàn)美金成為新的投資者

  •   英商康橋半導體宣布,與全球最大的創(chuàng )投基金之一完成C輪創(chuàng )業(yè)投資交易,今年內將溢注2,600萬(wàn)美金(1,300萬(wàn)英鎊)至這個(gè)歐洲無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體公司中。   這一次的C輪資金募集,是由3i與現有股東Scottish Equity Partners(簡(jiǎn)稱(chēng)SEP)及TTP Venture所領(lǐng)導,邀請Carbon Trust成為新的投資者。Carbon Trust本次的投資,取得相當于英商康橋半導體400萬(wàn)美金的普通股股權-這也是該公司第一次將投資專(zhuān)注于提升消費性電子產(chǎn)品的能源效率。   新資金將支持英商康橋
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晶圓代工吹Capex-Lite風(fēng) 動(dòng)搖摩爾定律

  •   繼整合組件廠(chǎng)(IDM)改走Fab-lite路線(xiàn),晶圓代工廠(chǎng)亦開(kāi)始刮起「Capex-Lite」風(fēng)!臺積電甫宣示將大砍2008年資本支出,聯(lián)電亦表達2008年資本支出顯著(zhù)減少,外界預估2家資本支出減幅都將高達2~3成。值得注意的是,聯(lián)電董事長(cháng)胡國強31日指出,先進(jìn)工藝已出現越代(skipping-node)現象,跳過(guò)1個(gè)世代,等新一代產(chǎn)品問(wèn)世再采購,然這形成對先進(jìn)工藝的觀(guān)望;如果供給面遵循摩爾定律,但需求面卻沒(méi)有每年同步增加40%,市場(chǎng)對于晶圓需求當然會(huì )減少。   由于油價(jià)高漲、次級房貸陰影未解除、消費
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晶圓尺寸轉移有無(wú)裨益,450毫米何去何從?

  •   關(guān)于可能向450毫米晶圓轉移的辯論已經(jīng)達到了白熱化,半導體設備廠(chǎng)商與一些IC制造商—特別是英特爾公司之間的分歧進(jìn)一步加劇。   在Sematech此間舉行的一次活動(dòng)期間,在半導體設備和材料國際的聯(lián)合生產(chǎn)率工作組召集的閉門(mén)會(huì )議中,IC設備公司表示了對芯片聯(lián)盟的有爭議的450毫米晶圓計劃的新的擔憂(yōu)。晶圓切割供應商稱(chēng),該努力是有缺陷和被誤導的,并爭論說(shuō),向下一代晶圓尺寸轉移所帶來(lái)的成本好處微乎其微或根本沒(méi)有。   Sematech聲稱(chēng),通過(guò)向300到450毫米晶圓轉移,IC行業(yè)能夠隨著(zhù)時(shí)間的推移把每塊晶
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晶圓代工吹Capex-Lite風(fēng) 動(dòng)搖摩爾定律

  •   繼整合組件廠(chǎng)(IDM)改走Fab-lite路線(xiàn),晶圓代工廠(chǎng)亦開(kāi)始刮起「Capex-Lite」風(fēng)!臺積電甫宣示將大砍2008年資本支出,聯(lián)電亦表達2008年資本支出顯著(zhù)減少,外界預估2家資本支出減幅都將高達2~3成。值得注意的是,聯(lián)電董事長(cháng)胡國強31日指出,先進(jìn)工藝已出現越代 (skipping-node) 現象,跳過(guò)1個(gè)世代,等新一代產(chǎn)品問(wèn)世再采購,然這形成對先進(jìn)工藝的觀(guān)望;如果供給面遵循摩爾定律,但需求面卻沒(méi)有每年同步增加40%,市場(chǎng)對于晶圓需求當然會(huì )減少。   由于油價(jià)高漲、次級房貸陰影未解除、
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AMD下一代晶圓生產(chǎn)技術(shù):增產(chǎn)三成

  •   在美國德克薩斯州舉行的第四屆國際半導體技術(shù)制造協(xié)會(huì )(ISMI)座談會(huì )上,AMD制造業(yè)務(wù)高級副總裁DouglasGrose提出,AMD并不急于把晶圓尺寸從300mm擴大到450mm,而是要充分提高現有生產(chǎn)線(xiàn)的效率,打造“下一代晶圓生產(chǎn)廠(chǎng)”(NGF)。   在與會(huì )的集成電路生產(chǎn)商、原材料供應商、相關(guān)工具銷(xiāo)售商和業(yè)界分析人士面前,Grose表示半導體的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和運輸都需要更智能的方式;在轉入450mm晶圓之前,AMD的主要任務(wù)是挖掘現有300mm技術(shù)的潛力,并與業(yè)界伙伴合作,開(kāi)發(fā)新的工具和工藝,讓晶圓生
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Spansion與中芯國際簽代工協(xié)議 任命Gary Wang為大中華區總裁

  •     10月24日,對Spansion和中芯國際來(lái)講都是一個(gè)重要的日子。Spansion公司宣布,為加強對中國市場(chǎng)的關(guān)注力度,Spansion已與中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)展開(kāi)合作,將向中芯國際轉讓65納米MirrorBit 技術(shù),用于其在中國的300毫米晶圓代工服務(wù)。 中芯國際與Spansion還簽署了一項初步諒解備忘錄,將授權中芯國際為中國的與內容發(fā)布相關(guān)的產(chǎn)品應用市場(chǎng)制造和銷(xiāo)售90納米、65納米以及將來(lái)的Spansion M
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晶圓設備商爆料 AMD45nm2009年上馬

  •   雖然說(shuō)AMD已經(jīng)按部就班推進(jìn)自己的45nm制程事業(yè),但是眼看11月11日,Intel投資的三個(gè)45nm制造廠(chǎng)的第一批產(chǎn)品已經(jīng)準備就緒要上市了,加上財報發(fā)布的巨大落差,AMD的好消息似乎沒(méi)幾個(gè)呢。   不過(guò)今天ASML公司的季度電話(huà)會(huì )議上一些有趣的信息看來(lái)是AMD的好消息——包括通不同的芯片生產(chǎn)商采用的沉浸光刻技術(shù)制程更迭周期,間接透露了AMD將在2009年開(kāi)始使用更好的沉浸濕法光刻設備來(lái)制造45nm的芯片。   ASML是一家為全球半導體廠(chǎng)商提供晶圓工廠(chǎng)制造設備的廠(chǎng)商,ASML首席分析師EricM
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全球半導體景氣頻捎寒意 交戰進(jìn)入關(guān)鍵期

  •   隨著(zhù)北美9月半導體設備訂單出貨比(B/BRatio)0.81再創(chuàng )2007年來(lái)新低,以及上周末美股重挫,使得與美股關(guān)聯(lián)性極高的臺股、特別是半導體指標股本周走勢備受各界關(guān)注,尤其緊接著(zhù)臺積電、聯(lián)電財務(wù)報告,外界預料恐將釋出第4季度增長(cháng)率較第3季度趨緩訊息,以及市場(chǎng)對晶圓雙雄先進(jìn)工藝價(jià)格下滑,導致毛利率難回高檔存疑慮,加上本周五聯(lián)電和艦案將宣判,市場(chǎng)籠罩觀(guān)望氣氛,為財務(wù)報告會(huì )前半導體景氣捎來(lái)陣陣寒意。   臺積電、聯(lián)電本周均將面臨關(guān)鍵性一役,對于臺積電而言,目前市場(chǎng)充滿(mǎn)多空論調交戰,就連外傳臺積電擬縮減2
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全球晶圓產(chǎn)業(yè)明年將反彈 07增長(cháng)9%

  • 從國外媒體處獲悉:半導體市場(chǎng)研究公司SEMISiliconManufacturersGroup日前發(fā)布預測報告說(shuō),全球半導體晶圓制造業(yè)在今年增速放緩之后,明年有望反彈。     該機構指出,去年,全球晶圓產(chǎn)業(yè)增長(cháng)了20%,不過(guò),今年的增幅預計將只有9%。今年全球芯片產(chǎn)業(yè)的增幅也將放緩。      該機構說(shuō),到明年,晶圓制造業(yè)的增速將提高到12%,2009年的增速預計為6%,2010年也是6%。 
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全球晶圓產(chǎn)業(yè)明年將反彈 07增長(cháng)9%

  •   從國外媒體處獲悉:半導體市場(chǎng)研究公司SEMI Silicon Manufacturers Group日前發(fā)布預測報告說(shuō),全球半導體晶圓制造業(yè)在今年增速放緩之后,明年有望反彈。   該機構指出,去年,全球晶圓產(chǎn)業(yè)增長(cháng)了20%,不過(guò),今年的增幅預計將只有9%。今年全球芯片產(chǎn)業(yè)的增幅也將放緩。   該機構說(shuō),到明年,晶圓制造業(yè)的增速將提高到12%,2009年的增速預計為6%,2010年也是6%。   該公司的調查發(fā)現,今年,全球晶圓交貨量達到了87億平方英寸,明年交付量為97億,2009年預計為103億,2
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專(zhuān)家分析:大陸晶圓代工業(yè)將實(shí)施新動(dòng)作

  • 十一五計劃期間,中國將半導體產(chǎn)業(yè)視為重要指標。近期,大陸晶圓代工廠(chǎng)又是動(dòng)作連連,不是引進(jìn)國外高階經(jīng)理人、資金技術(shù),就是進(jìn)行策略聯(lián)盟。專(zhuān)家預測:2007年的最后3月個(gè)月,也許大陸晶圓代工業(yè)會(huì )有關(guān)鍵性的變化。  一度顯得沉寂的大陸半導體制造業(yè)界,最近又熱鬧了起來(lái)。一是,中芯國際與華虹NEC的連姻;二是英飛凌前任執行長(cháng)空降宏力半導體執行長(cháng)一職;三是華潤上華釋出向海外尋求資金技術(shù),成立合資企業(yè)的消息??偫▉?lái)看,中芯國際要的是產(chǎn)能,宏力半導體要的是在全球半導體產(chǎn)業(yè)界的能見(jiàn)度,而華潤上華要的則是資金與技術(shù),
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中國無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)五年持續增長(cháng)

  • 中國無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體設計產(chǎn)業(yè)在未來(lái)五年將持續保持高速增長(cháng),從2007年的28億美元達到2011年的103億美元,年復合增長(cháng)率將達到38.6%。與過(guò)去只靠傳統前十名公司獨撐門(mén)面相比,未來(lái)五年中國的二線(xiàn)設計公司在收入和市場(chǎng)定位上將會(huì )有積極的表現,推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,而2007年也將成為中國二線(xiàn)無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體設計公司的里程碑年。      據iSuppli調查,2006年中國全行業(yè)總收入達到19.6億美元,第一次有七家設計公司收入超過(guò)了1億美元這個(gè)具有重要意義
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利用多項目晶圓服務(wù)降低芯片開(kāi)發(fā)費用與風(fēng)險

  • 引言一部分集成電路的NRE(一次性工程費用)被控制的越來(lái)越緊,但是另一部分卻并非如此,典型的掩模組的價(jià)格急劇上升。并且預測表明看不到未來(lái)這一勢頭會(huì )放緩的任何希望。在設計130納米節點(diǎn)時(shí),一套掩膜組的費用在50萬(wàn)至60萬(wàn)美元之間,90納米時(shí),上升到了100萬(wàn),65納米時(shí)達到了150萬(wàn)美元,展望一下并不久遠的未來(lái),據光罩供應商Photronics公司預測在32納米節點(diǎn)時(shí)一套掩膜組的費用將達到300萬(wàn)美元[1]。這里所描述的財務(wù)上的挑戰被這樣一個(gè)事實(shí)加劇了,即任何一個(gè)項目的最初預算需要考慮至少重新流片一次(on
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晶圓介紹

晶圓  晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠(chǎng)再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]

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