晶圓廠(chǎng)陸續上線(xiàn) 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內存

　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過(guò)DRAM內存。

　　根據SMA報告，閃存產(chǎn)能從2000年以來(lái)已經(jīng)增長(cháng)了四倍，達到相當于290萬(wàn)片200毫米硅晶圓的規模。相比之下，DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(cháng)225%。

　　報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。

　　預計2008年和2009年，將有另外超過(guò)十座晶圓廠(chǎng)上線(xiàn)。SMA預計，當設備裝機完成時(shí)，將帶來(lái)每月相當于150萬(wàn)片200毫米硅晶圓的產(chǎn)能。

　　SMA總裁George Burns表示，“Alliances和三星是推動(dòng)閃存產(chǎn)能增長(cháng)的主要動(dòng)力，東芝與SanDisk合資公司Alliances最近大幅增加產(chǎn)能，超過(guò)三星、Hynix和IMFlash的合并產(chǎn)能增加量?！?/P>

　　據悉，東芝與SanDisk合資公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。Flash Alliance的Fab 4晶圓廠(chǎng)剛開(kāi)始處理硅晶圓餅，當設備完全裝配好，據稱(chēng)每月產(chǎn)能將達21萬(wàn)片300毫米晶圓。Burns注意到，“那將是全球最大的晶圓廠(chǎng)，產(chǎn)能幾乎相當于50萬(wàn)片200毫米硅晶圓?！?/P>