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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
臺積電或將承擔A17芯片缺陷成本，蘋(píng)果將省下數十億美元
- 臺積電的 3nm 晶圓廠(chǎng)制程良率在 70%-80% 之間，但蘋(píng)果不會(huì )替這些缺陷產(chǎn)品買(mǎi)單。
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臺積電歐洲首廠(chǎng)落定：博世英飛凌恩智浦各持股10%，投資超百億歐元，4年后投產(chǎn)
- 集成電路代工巨頭臺積電正式拍板前往德國建廠(chǎng)。8月8日，臺積電對外宣布，公司董事會(huì )已批準在德國德勒斯登投資半導體工廠(chǎng)的計劃。臺積電將與博世（Bosch）、英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）共同成立合資公司，臺積電持股70%，其余三家各持股10%，這是臺積電在歐洲布局的第一個(gè)工廠(chǎng)。德國工廠(chǎng)——歐洲半導體制造公司（ESMC）將于2024年下半年開(kāi)始興建晶圓廠(chǎng)，并于2027年底開(kāi)始生產(chǎn)，總計投資金額預估超過(guò)100億歐元。同一天，臺積電董事會(huì )核準于不超過(guò)34.999億歐元額度投資于ESMC。德國設廠(chǎng)布局車(chē)
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臺積電 2 納米制程工廠(chǎng)已規劃增至三個(gè)，有望 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 8 月 9 日消息，據臺灣地區《經(jīng)濟日報》報道，臺積電昨日宣布，因應先進(jìn)制程強勁市場(chǎng)需求，高雄廠(chǎng)確定以 2 納米的先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)規劃。臺積電在 4 月法說(shuō)會(huì )上證實(shí)高雄廠(chǎng)將 28 納米產(chǎn)線(xiàn)調整為更先進(jìn)制程技術(shù)，但當時(shí)未提到改為何種制程。臺積電目前 2 納米生產(chǎn)基地已規劃竹科、中科，后續若高雄納入，該公司將擁有三個(gè) 2 納米生產(chǎn)基地。另外，據臺灣地區“中央社”消息，臺積電規劃 2 納米制程將于 2025 年量產(chǎn)，采用納米片晶體管結構。同時(shí)，臺積電在 2 納米發(fā)展出背面電軌解決方案，適用于
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專(zhuān)利數據顯示，臺積電在先進(jìn)芯片封裝大戰中處于領(lǐng)先地位
- IT之家 8 月 2 日消息，根據 LexisNexis 的專(zhuān)利數據，臺積電在先進(jìn)芯片封裝技術(shù)方面領(lǐng)先于其他競爭對手，其次是韓國的三星電子和美國的英特爾。先進(jìn)芯片封裝技術(shù)是一種能夠提高芯片性能的關(guān)鍵技術(shù)，對于爭奪芯片代工業(yè)務(wù)的廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。LexisNexis 是一家數據和分析公司，其數據顯示，臺積電擁有 2946 項先進(jìn)芯片封裝專(zhuān)利，并且質(zhì)量最高，這一指標包括了專(zhuān)利被其他公司引用的次數。三星電子在專(zhuān)利數量和質(zhì)量方面排名第二，擁有 2404 項專(zhuān)利。英特爾則排名第三，擁有 1434 項專(zhuān)利。
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高通驍龍8 Gen 4將基于N3E工藝打造，啟用自研Nuvia架構
- 最新外媒爆料透露，計劃2024年底推出的高通驍龍8 Gen 4將基于臺積電N3E工藝打造。據悉，蘋(píng)果的A17芯片將會(huì )率先商用臺積電3nm工藝，初期使用N3B工藝，后期切換到N3E工藝。在蘋(píng)果A17芯片之后，高通也將會(huì )擁抱臺積電3nm工藝。#01據悉，臺積電3nm工藝家族包含N3B、N3E、N3P、N3X、N3S等多個(gè)版本，其中N3B是初始版本，對比N5，N3B在同等功耗下性能提升12％、同等性能下功耗降低27％，但性能、功耗、量產(chǎn)良率和進(jìn)度等都未達臺積電預期。于是有了增強版的N3E，臺積電N3E修復了N3
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臺積電全球研發(fā)中心 7 月 28 日啟用，預計進(jìn)駐 8000 名研發(fā)人員
- IT之家?7 月 24 日消息，臺積電發(fā)出活動(dòng)通知，將于 7 月 28 日舉行全球研發(fā)中心啟用典禮，中心位于新竹科學(xué)園區科環(huán)路。值得一提的是，還有傳言稱(chēng) 92 歲的臺積電創(chuàng )始人張忠謀也將親自出席，凸顯該研發(fā)中心的重要性。臺積電董事長(cháng)劉德音此前預告稱(chēng)，臺積電持續深耕中國臺灣地區，2023 年研發(fā)中心將正式在竹科開(kāi)幕，預計進(jìn)駐 8000 名臺積電研發(fā)人員。劉德音表示，臺積電規劃把全球研發(fā)中心打造成屬于他們的“貝爾實(shí)驗室”，進(jìn)行臺積電未來(lái) 20、30 年的研發(fā)大計。他指出，半導體業(yè)是全球競賽，科技技術(shù)
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AMD 蘇姿豐：對臺積電以外的其他代工廠(chǎng)商持開(kāi)放態(tài)度
- IT之家 7 月 21 日消息，超威半導體（AMD）CEO 蘇姿豐今日在日本東京接受《日經(jīng)亞洲》采訪(fǎng)時(shí)表示，AMD 對于臺積電以外的其他代工廠(chǎng)持開(kāi)放態(tài)度，該公司將“考慮其他制造能力”來(lái)生產(chǎn) AMD 設計的芯片，以“確保 AMD 擁有最具彈性的供應鏈”?！?nbsp;圖源 Pixabay蘇姿豐承認，尋找合適的替代廠(chǎng)商并不容易，因為臺積電一直在芯片制造行業(yè)占據主導地位，并擁有尖端技術(shù)。臺積電的競爭對手包括韓國的三星、中國臺灣的聯(lián)華電子以及美國的格羅方德等，但蘇姿豐沒(méi)有透露任何廠(chǎng)商的名字。蘇姿豐也對利
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今日臺積電發(fā)布：針對汽車(chē)電子，2024年將推出N4AE和N3AE平臺
- 臺積電在汽車(chē)電子領(lǐng)域的工藝與技術(shù)布局。
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成本太高 臺積電亞利桑那工廠(chǎng)推遲投產(chǎn) 蘋(píng)果將受影響
- 【CNMO新聞】作為蘋(píng)果芯片的供應商，臺積電（TSMC）一直致力于在亞利桑那州建立一家芯片制造廠(chǎng)為蘋(píng)果制造芯片，但由于工人短缺和生產(chǎn)成本問(wèn)題，大規模生產(chǎn)將被推遲。臺積電7月20日，臺積電董事長(cháng)劉德音在公司第二季度財報會(huì )議上表示，該公司在美國亞利桑那州4納米晶圓工廠(chǎng)的投產(chǎn)時(shí)間已由2024年末推遲至2025年。劉德音稱(chēng)：“我們現在正進(jìn)入處理和安裝最先進(jìn)和專(zhuān)用設備的關(guān)鍵階段。然而，我們正面臨某些挑戰”。臺積電在美國工廠(chǎng)面臨著(zhù)多項挑戰，包括包括技術(shù)工人短缺和更高的生產(chǎn)成本。據悉，臺積電正將一些熟練員工調往亞利桑那
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日本官員稱(chēng)計劃為臺積電第二家日本工廠(chǎng)提供資金補貼
- IT之家 7 月 19 日消息，據彭博社報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省信息產(chǎn)業(yè)科科長(cháng)金指壽在熊本縣舉行的半導體相關(guān)活動(dòng)上表示，日本政府正考慮為臺積電第二家日本工廠(chǎng)提供補貼等相關(guān)事宜?！?nbsp;圖源：臺積電金指壽表示：“我們希望從連續性的角度來(lái)確保預算投入，就經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的半導體戰略而言，連續性與速度一樣重要?！彼€指出，日本政府已經(jīng)認識到最近的國際局勢是重振日本半導體產(chǎn)業(yè)的機會(huì )。日本政府已將確保半導體的穩定供應視為重要的經(jīng)濟安全問(wèn)題，除了為臺積電第一家生產(chǎn)邏輯半導體的日本工廠(chǎng)提供高達約 4760 億日元
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AMD蘇姿豐拜會(huì )臺積電等：NVIDIA最強顯卡殺手MI300X要量產(chǎn)了
- 7月19日消息，繼5月底臺北電腦展之后，AMD CEO蘇姿豐日前再次拜訪(fǎng)了合作伙伴，包括臺積電、日月光、和碩等公司。AMD官方?jīng)]有透露蘇姿豐與廠(chǎng)商會(huì )談的具體內容，不過(guò)業(yè)界認為這次訪(fǎng)問(wèn)供應鏈廠(chǎng)商，主要是為Q3季度量產(chǎn)MI300系列AI顯卡打前哨，確保產(chǎn)能，畢竟NVIDIA的AI顯卡就遇到了供不應求的問(wèn)題。如今AI顯卡市場(chǎng)炙手可熱，但NVIDIA一家獨大，占了90%的份額，A100、H100兩款顯卡售價(jià)超過(guò)10萬(wàn)到25萬(wàn)元依然供不應求，國內特供的A800、H800更是被加價(jià)搶購，AMD自然也不會(huì )錯過(guò)這個(gè)市場(chǎng)。
- 關(guān)鍵字： AMD 臺積電 NVIDIA MI300X
報告稱(chēng)三星 3nm 芯片良率已超過(guò)臺積電
- IT之家 7 月 18 日消息，根據 Hi Investment & Securities 機構近日發(fā)布的報告，Samsung Foundry 在 3nm 工藝上的良率達到了 60%，高于臺積電（55%）。報道稱(chēng)三星大力發(fā)展 3nm，不斷提升生產(chǎn)工藝、提高生產(chǎn)良率，目前已經(jīng)將良率提升到 60%，該媒體認為三星會(huì )在超先進(jìn)芯片制造技術(shù)上勝過(guò)臺積電。報告中也指出三星目前在 4nm 工藝方面良率為 75%，和臺積電（80%）存在差距，不過(guò)通過(guò)發(fā)力 3nm，有望在未來(lái)超過(guò)臺積電。報告中還指出由于臺
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臺積電.晶圓代工介紹
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