臺積電12寸新廠(chǎng)南北齊攻 總投資額上看60億美元
隨著(zhù)聯(lián)電、中芯等競爭者45納米制程推展進(jìn)程加快,晶圓代工龍頭臺積電決定擴大投資力道,全面拉開(kāi)與競爭對手差距,臺積電計劃南、北開(kāi)攻,啟動(dòng)新竹、南科12寸晶圓廠(chǎng)全新擴產(chǎn)計畫(huà),總投資額將上看60億美元,預計2010年下半起展開(kāi)裝機。由于臺積電先進(jìn)制程擴產(chǎn)及良率將成為2010年重點(diǎn)營(yíng)運主軸,亦將牽動(dòng)內部人事異動(dòng),業(yè)界傳出負責先進(jìn)制程營(yíng)運的副總劉德音,極可能擢升為空缺許久的營(yíng)運長(cháng)(COO)。不過(guò),臺積電26日并未證實(shí)上述說(shuō)法。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/99314.htm半導體業(yè)者表示,中芯在上海技術(shù)論壇宣布45納米制程近日即將投產(chǎn),加上聯(lián)電擴大布建新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i在45/40納米制程產(chǎn)能,迫使向來(lái)在先進(jìn)制程領(lǐng)先的臺積電,不得不擴大投資力道,以保持在產(chǎn)能與技術(shù)領(lǐng)先,并穩住晶圓代工一哥地位。因此,臺積電本周將登場(chǎng)的法說(shuō)會(huì )上,預料將宣布對2010年資本支出走向看法,其中,12寸廠(chǎng)擴建將是眾所矚目焦點(diǎn),且預料臺積電11月董事會(huì )亦將針對擴產(chǎn)及資本預算進(jìn)行討論。
半導體設備業(yè)者指出,臺積電2010年資本支出將達30億美元,其中有部分資金將投入新一波12寸廠(chǎng)擴產(chǎn)計畫(huà),臺積電整個(gè)12寸晶圓廠(chǎng)擴產(chǎn)計畫(huà)規模相當驚人,將同時(shí)啟動(dòng)新竹、南科12寸廠(chǎng)超大晶圓廠(chǎng)(GigaFab)擴產(chǎn),包括新竹Fab 12第5期,以及南科Fab 14第4期,總投資金額估計可能上看60億美元。
半導體業(yè)者指出,近期臺積電Fab 12第5期已悄悄完成整地,預計2010年起開(kāi)始興建廠(chǎng)房,待廠(chǎng)辦與無(wú)塵室工程完成后,2010年10月可望進(jìn)行裝機;至于南科12寸廠(chǎng)Fab 14第4期亦預計在2010年底導入機器設備,預計2座廠(chǎng)產(chǎn)能各約單月3.5萬(wàn)片,并將投入45/40納米以下制程技術(shù)研發(fā)及生產(chǎn)。
事實(shí)上,聯(lián)電自2009年第3季起于臺南12寸廠(chǎng)Fab 12A展開(kāi)45/40納米制程投片,為大客戶(hù)賽靈思(Xilinx)代工可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片,聯(lián)電為擴大產(chǎn)能,并搶攻市場(chǎng)占有率,亦將在新加坡生產(chǎn)基地Fab 12i積極啟動(dòng)擴產(chǎn)計畫(huà)。設備業(yè)者表示,目前包括德儀(TI)、恩威迪亞(NVIDIA)、超微(AMD)都有相關(guān)合作案,手機芯片大廠(chǎng)英飛凌 (Infineon)及聯(lián)發(fā)科亦有進(jìn)入45/40納米制程計畫(huà),這讓臺積電必須得加速先進(jìn)制程擴產(chǎn)腳步。
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